低温プロセスを特徴とする低抵抗TaNx/Ta/TaNxメタルゲートFDSOI-CMOS技術
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概要
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窒タンタル(TaNx)バッファ層にした、低温プロセスを特徴とするタンタルメタルゲート技術を開発した。TaNxバッファ層は低抵抗(〜15μΩcm)な体心立方(bcc)相の金属タンタル層をヘテロエピタキシーさせるシード層となる。今回、TaNx/bcc-Ta/TaNx積層ゲート電極(<1Ω/□)を使ったメタルゲートFDSOI-CMOSを試作したところ、良好な特性を得ることができた。更に、マイクロ波励起高密度プラズマによる直接窒化シリコン膜をゲート絶縁膜に使ったトランジスタについても試作したので合わせて報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-11-23
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
中尾 慎一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
大嶋 一郎
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科
-
島田 浩行
セイコーエプソン株式会社
-
島田 浩行
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
中尾 慎一
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
中川 宗克
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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