マイクロ波励起高密度プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の低温形成
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概要
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本報告では、ラジアルライン・スロットアンテナ (RLSA)によるマイクロ波励起高密度プラズマを用いて、400℃の低温で形成した極薄窒化膜の電気的特性について述べる。本窒化膜は界面準位密度が低く、等価酸化膜厚 (EOT) が等しいJVD窒化膜や熱酸化膜と比較してリーク電流が低いという特徴を持っている。さらに、高い絶縁耐圧を有し、高電界の電気的ストレスに対しても膜中のトラップやリーク電流の増加 (SILC)がほとんど観測されない。これにより、本窒化膜はFETのゲート絶縁膜として適用可能であることが示された。
- 1999-07-22
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
斉藤 祐司
東北大学大学院工学研究科
-
関根 克行
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
平山 昌樹
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
斉藤 祐司
東北大学大学院工学研究科:(現)セイコーエプソン(株)生産技術開発本部
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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