シリコン表面の原子オーダー平坦化技術(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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本研究において、1200℃のArガス雰囲気中で(100)面のシリコンウェハを熱処理することにより、様々な原子オーダのステップ・テラスを有するシリコン表面が実現でき、そのステップ形状やテラス幅は、ウェハのオフ角・オフ方向に大きく関係していることを明らかにした。さらに、ウェハのオフ角の方向が、比較的<110>方向に近いウェハおいて、8インチウェハの全面にわたり均一な原子オーダ平坦表面が実現でき、その表面形状は、<110>方向と直行する方向に直線的なステップ形状のみが現われる構造となることを見出した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-09-27
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
黒田 理人
東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻
-
黒田 理人
東北大学工学研究科
-
黒田 理人
東北大学大学院工学研究科
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
-
諏訪 智之
東北大学未来科学共同センター
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