マイクロ波励起高密度プラズマによる低温直接窒化を用いて高品質極薄シリコン窒化ゲート絶縁膜に関する研究
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概要
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マイクロ波励起高密度プラズマによる直接窒化を用いて、400℃の低温でSi_3N_4ゲート絶縁膜を形成し、TaNx金属ゲート電極MNSキャパシタを作成したところ、EOT=1.25nmまで良好の電気的特性を得ることが出来た。GIXR解析法とTEM写真両方から良好な界面特性を確認した。定電圧TDDB寿命はシリコン酸化膜と比較して30倍以上向上した。さらに,プラズマ励起ガスをArからKrに変えることにより、TDDB寿命が3倍以上向上することを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-13
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
小野 泰弘
元東北大工
-
小野 泰弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大嶋 一郎
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科
-
島田 浩行
セイコーエプソン株式会社
-
程 〓涛
東北大学大学院工学研究科
-
Ono Yasuhiro
Department Of Applied Physics Graduate School Of Engineering Tohoku University
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
-
須川 成利
東北大学大学院 工学研究科
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