Impact of Improved High-Performance Si(110)-Oriented Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Using Accumulation-Mode Fully Depleted Silicon-on-Insulator Devices (Special Issue: Solid State Devices & Materials)

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概要

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• Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文

著者

• 寺本 章伸

  東北大学未来科学技術共同研究センター

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