ラジカル窒化酸化膜中NのXPS評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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ラジカル窒化されたシリコン酸化膜中には,Si,≡N結合の状態にあるNの他に,N1s光電子の結合エネルギーがSi3≡Nより約4.8eV高い,結合状態が未同定のN(以後N_<high>)の2つが存在する。HFエッチングを用いたXPS(X-ray photoelectron spectroscopy)深さ分析の結果,Si_3≡Nは表面に偏析,N_<high>は膜中深くまで分布することが分かった.一方,NBTI(negative bias temperature instability)特性がポストRTO処理により劣化することが明らかになったが,このときN<high>は消滅,Si_3≡N分布は界面側に広がることが分かった.このNBTI特性劣化は,界面のSi_3≡N形成量の増加によると考えられる.また,N_<high>は300〜500℃でN_2として脱離することが,TDS(Thermal desorption spectroscopy)分析から明らかとなり,600℃アニールにより,Si_3≡Nの分布を広げずにN_<high>を除去することが可能となった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-15
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
梅田 浩司
ULSI技術開発センター
-
梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
-
井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
-
河瀬 和雅
三菱電機先端総研
-
井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
-
辻川 真平
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
辻川 真平
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
赤松 泰彦
(株)ルネサステクノロジプロセス開発部
-
赤松 泰彦
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
-
梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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