井上 真雄 | (株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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概要
関連著者
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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寺本 章伸
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大見 忠弘
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諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
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吉村 秀文
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樋口 正顕
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諏訪 智之
東北大学大学院工学研究科
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藤田 文子
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辻川 真平
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(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
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須川 成利
東北大学大学院工学研究科
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小村 政則
東北大学工学研究科
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服部 健雄
東北大学未来情報産業共同研究センター
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小村 政則
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西出 征男
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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黒川 博志
三菱電機先端総研
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児島 雅之
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藤原 啓司
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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坂下 真介
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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東 雅彦
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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武島 豊
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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山成 真市
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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西田 征男
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上原 廉
三菱電機 先端技総研
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(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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東京工大 フロンティア研究機構
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諏訪 智之
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著作論文
- 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
- 原材料に起因したHf酸化膜中メタル不純物の分析とTDDB寿命への影響
- 高い駆動能力を有する高信頼HfSiONゲート絶縁膜の作製
- HfSiON high-kゲート形成プロセスによるBTストレス中のV_安定性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低リーク、高移動度HfSiONゲートを実現する界面制御技術(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- HfSiON絶縁膜を用いたメタルゲートCMOSプロセスの検討
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ラジカル窒化酸化膜中NのXPS評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 酸素ラジカル処理したCVDシリコン酸化膜の高輝度放射光利用X線反射率測定(プロセスクリーン化と新プロセス技術)