N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製
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概要
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- 2003-10-20
著者
-
大野 吉和
(株)ルネサステクノロジ
-
井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
-
土本 淳一
ルネサス テクノロジ
-
井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
-
土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部、プロセス開発部
-
土本 淳一
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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