ラジカル窒化によるゲート絶縁膜形成プロセスの検討

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概要

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• ラジカル窒化を用いたゲート絶縁膜の形成プロセスに関して、窒化後のアニールに着目して検討を行った。ラジカル窒化した熱酸化膜の最表面には熱酸化膜よりもHF溶液中のエッチングレートが速い層が形成されるが、窒化後にRapid Thermal Oxidation(RTO)を行うと、エッチングレートは熱酸化膜と比べて遅くなり、表面層の結合の歪みは緩和される。しかし、RTO処理の結果、膜中の固定電荷は増加し、PMOSトランジスタにおけるNegative Bias Temperatureストレス耐性は低下する。この原因を調べるため、XPSによる膜中窒素プロファイルおよびMOSキャパシタの電気特性を評価した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-10-21

著者

• 大野 吉和

  (株)ルネサステクノロジ

• 梅田 浩司

  ULSI技術開発センター

• 丸山 祥輝

  (株)ルネサステクノロジ

• 河瀬 和雅

  三菱電機(株)先端総研

• 井上 真雄

  (株)ルネサステクノロジ

• 梅田 浩司

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 井上 真雄

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 丸山 祥輝

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 梅田 浩司

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 大野 吉和

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

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