ITO/AlNiNdコンタクト形成メカニズムの解明(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
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概要
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AlNiNd上にITOをスパッタ成膜した際の,ITO/AlNiNd界面の化学結合状態,結晶状態,元素分布を詳細に調べた。AlNiNd成膜後にポストアニールしない場合,ITO/AlNiNd界面には一様に酸化膜が形成され,電気的コンタクトが形成されない。一方,AlNiNd成膜後にポストアニールした場合,Al_3Ni結晶相が析出し,この相はITO成膜時に全く酸化されない。このAl_3Ni結晶相がITOとAlNiNdの間の導通パスとなるため,ITO/AlNiNdダイレクトコンタクトが形成される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-04-11
著者
-
河瀬 和雅
三菱電機(株)先端総研
-
本谷 宗
三菱電機(株)先端総研
-
谷村 純二
三菱電機(株)先端総研
-
津村 直樹
メルコ・ディスプレイ・テクノロジー(株)
-
長山 顕祐
メルコ・ディスプレイ・テクノロジー(株)
-
石賀 展昭
メルコ・ディスプレイ・テクノロジー(株)
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井上 和式
三菱電機(株)先端総研
-
谷村 純二
三菱電機先端技術総合研究所
-
谷村 純二
三菱電機(株)先端技術総合研究所 環境・分析評価技術部
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