HfSiO_x薄膜のXAFSによる局所構造解析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
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概要
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次世代ゲート絶縁膜として有望なHfSiO_x膜において,実デバイスで想定される膜厚のHf(Si)O_x薄膜に関し,SPring-8を用いたXAFS法によりSi添加に伴うHf原子周りの局所構造変化を調べた。転換電子収量法の適用により,数nmの薄膜でも約1時間で測定ができることがわかった。XAFSスペクトルの解析から,Hf原子周りの第1配位殼(酸素)のピーク強度は,HfO_2粉末と薄膜試料で大きい違いが認められなかったのに対し,第2配位殼のピーク強度は薄膜試料で弱くなり,Hf_<0.5>Si_<0.5>O_x薄膜では同ピークが全く消失した。これらの結果から,薄膜では非晶質化が進むこと,Si添加試料では完全な非晶質であることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-20
著者
-
上原 康
三菱電機(株)材料デバイス研究所
-
河瀬 和雅
三菱電機(株)先端総研
-
土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
-
芝野 照夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所プロセス基礎技術部
-
土本 淳一
ルネサス テクノロジ
-
土本 淳一
ルネサステクノロジ(株)プロセス開発部
-
上原 康
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
芝野 照夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部、プロセス開発部
-
上原 康
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
上原 康
三菱電機(株)
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