FIB装置を用いたZnOバリスタ単一粒界解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2000-05-01
著者
-
小林 正洋
三菱電機(株)系統変電システム製作所
-
和田 理
三菱電機先端技術総合研究所
-
谷村 純二
三菱電機先端総研
-
黒川 博志
三菱電機先端総研
-
谷村 純二
三菱電機先端技術総合研究所
-
古瀬 直美
三菱電機系統変電・交通システム事業部
-
小林 正洋
三菱電機系統変電・交通システム事業部
関連論文
- スピネル粒子量制御による酸化亜鉛素子の性能向上
- 非酸化性雰囲気昇温されたH終端Si表面状態のXPSによる評価
- ITO/AlNiNdコンタクト形成メカニズムの解明(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- SFU(Space Flyer Unit)による微小重力環境下でのInGaP気相成長実験
- SFUにおける微小重力環境下でのInGaPの気相成長実験
- 酸素ラジカル処理したCVDシリコン酸化膜の高輝度放射光利用X線反射率測定(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- FIB装置を用いたZnOバリスタ単一粒界解析
- 66-500kV新形避雷器の開発
- 31a-YC-12 MELCO-SRを利用した軟X線ビームラインの構築
- 超LSIゲート絶縁膜の構造・欠陥解析技術 (特集 材料・分析技術の応用と展開)
- 高抵抗酸化亜鉛素子を用いた新形配電用避雷器の開発検証
- 電気機器用材料における最新の微小分析技術 (特集 材料・分析技術の応用と展開)