酸素ラジカル処理したCVDシリコン酸化膜の高輝度放射光利用X線反射率測定(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)

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概要

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CVDシリコン酸化膜の絶縁特性は,熱酸化膜のそれよりも劣るが,低温で,任意の下地上に成膜可能な長所がある。一方,ラジカル酸化は,酸化力が非常に強いため,低温処理が可能である。我々は,CVD酸化膜の絶縁特性を低温で改善するために,酸素ラジカル処理のCVDシリコン酸化膜への適用を検討した。一方,従来のX線反射率測定は,X線束の強度が不充分なため,超極薄シリコン酸化膜の密度を求めることはできなかった。そこで,我々は,高輝度放射光を用いたX線反射率測定により,酸素ラジカル処理されたCVD酸化膜の密度と表面ラフネスを評価した。CVDシリコン酸化膜の密度は,酸素ラジカル処理によって,熱酸化膜と同程度まで増加し,リーク電流は大幅に低減することが明らかになった。一方,表面ラフネスは減少しなかった。したがって,リーク電流は,密度の増加によって低下したと考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
2003-10-13

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