ゲート酸化膜の破壊メカニズム

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概要

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酸化膜寿命に対する面積、温度依存性を明らかにし、幅広い範囲の電界でTDDB測定を行うことにより、絶縁破壊寿命(t_BD)と酸化膜電界(E_OX)の関係は、log(t_BD)∝1/E_OXであることを明らかにした。一方、ホール、電子を酸化膜中に選択的に注入し、絶縁破壊を発生させることにより、破壊に対する正孔、電子の役割を明らかにし、その結果、酸化膜の絶縁破壊メカニズムは、酸化膜に印加された電界(ゲートに印加された電圧)によってエネルギを得た電子がアノード側で電子・ホール対を生成し、そこで発生されたホールが酸化膜中に注入され、それが酸化膜の許容量に達したときに絶縁破壊となる。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-10-12

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