イオンマイクロプローブを用いたDRAMのソフトエラー感応領域および高耐性構造の評価
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概要
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- 1995-11-30
著者
-
高井 幹夫
大阪大学極限量子科学研究センター
-
西村 正
三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター
-
西村 正
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
-
西村 正
三菱電機(株)
-
佐山 弘和
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
西村 正
三菱電機ULSI開発研究所
-
園田 賢一郎
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
岸本 武久
大阪大学
-
大野 良和
三菱電機(株)
-
佐山 弘和
大阪大学基礎工学部
-
大野 吉和
三菱電機 ULSI開発研究所
-
園田 賢一郎
三菱電機(株)
-
高井 幹夫
大阪大学 極限科学研究センター
-
西村 正
三菱電機 Ulsi開セ
-
西村 正
三菱電機株式会社 Lsi 研究所
-
佐山 弘和
三菱電機(株)
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