(窒素+リン)同時ドープ非晶質シリコンによるフラッシュメモリの新規浮遊電極
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概要
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本論文では, 次世代フラッシュメモリ用浮遊電極材料として, スケーリング則に則った(窒素+リン)同時ドープ非晶質シリコン膜について議論していく. (窒素+リン)同時ドープ非晶質シリコン膜は結晶化熱処理後に微細グレイン性と耐酸化性の2つの特長を示す. これらの特長により, 下部(窒素+リン)同時ドープ非晶質シリコン電極の表面モフォロジは均質, かつ, 平滑となりインターポリCVD-SiO_2の信頼性は大きく改善する. 同様に, 浮遊電極寸法の変動と浮遊電極とソース領域の重なり面積の縮小を抑えることにより, 浮遊電極エッジでのトンネル酸化膜の信頼性が向上する. (窒素+リン)同時ドープ非晶質シリコン膜は高集積化フラッシュメモリにおける高機能浮遊電極材料として有望である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-24
著者
-
伊藤 博巳
三菱電機 Ulsi開発研究所
-
金岡 竜範
三菱電機 ULSI開発研究所
-
安間 正俊
三菱電機 ULSI開発研究所
-
大野 吉和
三菱電機 ULSI開発研究所
-
平山 誠
三菱電機 ULSI開発研究所
-
平山 誠
三菱電機ulsi開発研究所
-
金岡 竜範
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
大野 吉和
三菱電機 Ulsi技開セ
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