ゲート酸化膜寿命の電界依存性
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概要
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広い電界範囲(7.0-13.5MV/cm)において酸化膜寿命の測定を行い、その電界依存性を評価した。膜厚7.1nmおよび9.6nmの酸化膜では真性寿命の対数が酸化膜電界の逆数に比例する。これはanode hole injectionモデルから予想される結果と一致しており、酸化膜の絶縁破壊現象がホットエレクトロンによって陽極界面付近で発生する正孔と強く関連していることを示唆している。また、膜厚4.0nmにおいて観測される酸化膜寿命のストレス極性依存性を陽極界面における電子のエネルギーと関連づけて議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-09-28
著者
-
大野 吉和
三菱電機 ULSI開発研究所
-
大野 吉和
(株)ルネサステクノロジ
-
梅田 浩司
ULSI技術開発センター
-
井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
-
寺本 章伸
三菱電機(株)
-
梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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井上 真雄
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
梅田 浩司
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
大野 吉和
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
重富 晃
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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