高い駆動能力を有する高信頼HfSiONゲート絶縁膜の作製
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概要
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- 2006-06-28
著者
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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米田 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
-
水谷 斉治
(株)ルネサステクノロジ
-
志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ
-
土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
-
土本 淳一
ルネサス テクノロジ
-
志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
-
野村 幸司
(株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
-
辻川 真平
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
藤原 啓司
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
辻川 真平
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部、プロセス開発部
-
土本 淳一
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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