F-Nトンネル電流ストレスによる(100)Si/SiO_2界面準位の生成機構とその特性
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概要
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(100) n-Si MOSキャパシタのSi基板から酸化膜中へF-Nトンネル電子注入を行い、禁止帯の上半分に生成される2種類の界面準位の生成機構とその特性を室温でのa.c.コンダクタンス測定により調べた。2つの界面準位の生成効率は異なるものの、ともに酸化膜に印加される電圧が7V以上でその生成が観測され、13Vで生成効率のモードが変化する。この結果から、これらの界面準位の生成には表面プラズモンの励起と衝突電離過程を介した正孔の発生が関与していることが分かった。また、欠陥は界面だけでなく、わずかに酸化膜内部にも生成されることが明らかとなった。これらの界面欠陥の構造と生成機構について議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-07
著者
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