シリコンM0Sキャパシタの界面準位生成に対する酸化膜電圧およびその極性依存性
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概要
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さまざまな酸化膜厚の(100)n型SiM0SキャパシタにF-Nトンネル電子注入を行い,禁止帯の上半分に分布する2種類の界面単位の生成をa.c.コンダクタンス法を用いて評価し,界面単位生成効率η_<gen>の酸化膜電圧およびその極性依存性について調べた.ポリシリコンゲートから電子を注入した時のη_<gen>はシリコン基板からの電子注入時よりも常に約2桁程度大きく,またどちらのη_<gen>も酸化膜電圧に対し同様の依存性を示した. η_<gen>と他で報告されているQ_<BD> (charge-to-breakdown)を用いて絶縁破壊時の界面単位密度(臨界界面準位密度D_<crit>を求めた結果,約1桁の範囲内に分布する値が得られた.この事はストレス印加時の注人電荷数よりむしろ発生した欠陥数がTDDBに直接関与している可能性を示唆している.界面単位生成機構およびそのストレス極性依存性について議論する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-05
著者
-
井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
-
島田 章宏
大阪大学大学院工学研究科電気工学
-
井上 真雄
大阪大学大学院工学研究科電気工学
-
白藤 純嗣
大阪大学大学院工学研究科電気工学
-
白藤 純嗣
大阪大学工学部電気工学科
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