イットリウムシリサイド/シリコン接合の作製と電気的特性

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概要

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我々はイットリウムシリサイドをSi(111)面とa-Si上に真空アニールによって作成し、そのアニール温度とシリサイドの構造および電気的特性の関係を調べた。Si(111)面上では約300℃を越えるアニール温度でイットリウムダイシリサイド(YSi_2-x>)が形成されはじめ、n形Siとショットキー障壁高さは低くなる。しかし、450℃以上のアニールはシリサイドの酸化が進行し、障壁の増大とon電流の低下をもたらす。一方、n形a-Siでは300℃以上のアニールで種々のシリサイドが形成され、400℃において最も良好なオーミック特性を示した。また、結晶Siに比べa-Siではアニール温度が400℃を越えてもシリサイドの酸化が進まない。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-11-25

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