FN注入によるMOSダイオードの劣化とa.c.コンダクタンス測定
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ファウラー・ノルドハイム(FN)トンネル電流ストレスを印加した(100)p形MOSダイオードSi, SiO_2界面準位をa.c.コンダクタンス測定により調べた。コンダクタンスーゲートバイアス特性に2つのピークが観測され、ストレス印加時間の増加と共に連続的に成長した。2つのピークに対応する界面準位の1つは禁止帯の上半分に、他方は下半分に位置していることが分かった。また、得られた2つの界面準位の密度分布および捕獲断面積分布から、これらの界面準位は、Si/SiO_2界面に存在すると考えられているP_b0>、P_b1>と呼ばれるダングリングボンドに関係した欠陥による準位と思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-25
著者
関連論文
- 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 非酸化性雰囲気昇温されたH終端Si表面状態のXPSによる評価
- ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
- 原材料に起因したHf酸化膜中メタル不純物の分析とTDDB寿命への影響
- 高い駆動能力を有する高信頼HfSiONゲート絶縁膜の作製
- HfSiON high-kゲート形成プロセスによるBTストレス中のV_安定性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低リーク、高移動度HfSiONゲートを実現する界面制御技術(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- HfSiON絶縁膜を用いたメタルゲートCMOSプロセスの検討
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ラジカル窒化酸化膜中NのXPS評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 酸素ラジカル処理したCVDシリコン酸化膜の高輝度放射光利用X線反射率測定(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化によるゲート絶縁膜形成プロセスの検討
- ゲート酸化膜の電気的特性に対する有機物汚染の影響
- ゲート酸化膜の破壊メカニズム
- ゲート酸化膜寿命の電界依存性
- 溶液移動浮遊帯域法によるBi_2Sr_2CuO_x単結晶の育成 : 超伝導酸化物
- リン化処理を施した化合物半導体へのショットキー接合
- リン化処理を用いた化合物半導体表面の安定化
- ゲート酸化膜寿命の電界依存性
- ポリジメチルシランの配向制御と発光特性
- シリコンM0Sキャパシタの界面準位生成に対する酸化膜電圧およびその極性依存性
- F-Nトンネル電流ストレスによる(100)Si/SiO_2界面準位の生成機構とその特性
- FN注入によるMOSダイオードの劣化とa.c.コンダクタンス測定
- SiO_2薄膜の絶縁劣化とコンダクタンスの関連
- 8a-M-9 CdS単結晶のX線及び光パルス電動(I)
- ポリシラン(有機シリコン高分子)の配向制御と光学特性
- ソース・ドレインにショットキー障壁接合を持つPoly-Si TFTの作製と評価
- イットリウムシリサイド/シリコン接合の作製と電気的特性
- ショットキーバリアトンネルトランジスタ(SBTT)の数値解析
- a-Si:Hグロ-放電膜のタイムオブフライト測定による評価--モノシラン膜とジシラン膜の比較 (太陽光発電システム)
- 11p-H-9 Co_2レーザによるTeのSHGの温度依存性
- a-Si:Hグロ-放電膜のタイムオブフライト測定による評価--モノシラン膜とジシラン膜の比較 (太陽光発電システム)