低リーク、高移動度HfSiONゲートを実現する界面制御技術(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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polySiゲートCMOSプロセスに適用可能な低リークかつ高移動度を有するHfSiONゲートを実現するための界面制御技術について述べる。 SiO_2に匹敵する高い移動度を達成するためにはHfSiON膜とSi基板との間に界面層を形成することが有効である。しかし界面層がSiO_2の場合、後工程の熱処理中に基板方向へのHfの拡散が起こり、リーク電流の増大を引き起こす。耐熱性を上げるためにはHfプロファイルの制御が必要で、界面層へのN導入が有効であることを示す。 HfおよびNプロファイルを制御した結果、リーク電流はSiO_2よりも約2桁低く、ヒステリシスのほとんどない、高い移動度を有するゲート絶縁膜が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-07
著者
-
大野 吉和
(株)ルネサステクノロジ
-
米田 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
-
井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
-
由上 二郎
(株)ルネサステクノロジ
-
水谷 斉治
(株)ルネサステクノロジ
-
土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
-
由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
-
土本 淳一
ルネサス テクノロジ
-
由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
-
野村 幸司
(株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
-
土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部、プロセス開発部
-
由上 二郎
ルネサス テクノロジ
-
土本 淳一
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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