水谷 斉治 | (株)ルネサステクノロジ

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概要

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関連著者

• 井上 真雄

  (株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部

• 水谷 斉治

  (株)ルネサステクノロジ

• 井上 真雄

  (株)ルネサステクノロジ

• 米田 昌弘

  (株)ルネサステクノロジ

• 由上 二郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 由上 二郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 由上 二郎

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 由上 二郎

  ルネサス テクノロジ

• 土本 淳一

  (株)ルネサステクノロジ

• 土本 淳一

  ルネサス テクノロジ

• 土本 淳一

  (株)ルネサステクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部、プロセス開発部

• 土本 淳一

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ

• 大野 吉和

  (株)ルネサステクノロジ

• 志賀 克哉

  (株)ルネサステクノロジ

• 志賀 克哉

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 野村 幸司

  (株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング

• 嶋本 泰洋

  (株)日立製作所中央研究所

• 吉村 秀文

  (株)ルネサステクノロジ

• 藤田 文子

  (株)ルネサステクノロジ

• 西出 征男

  三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター

• 児島 雅之

  (株)ルネサステクノロジ

• 辻川 真平

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 藤原 啓司

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 坂下 真介

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 東 雅彦

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 武島 豊

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 山成 真市

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 西田 征男

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 川原 孝昭

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 川原 孝昭

  (株)ルネサステクノロジ

• 辻川 真平

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

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著作論文

• フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 原材料に起因したHf酸化膜中メタル不純物の分析とTDDB寿命への影響
• 高い駆動能力を有する高信頼HfSiONゲート絶縁膜の作製
• HfSiON high-kゲート形成プロセスによるBTストレス中のV_安定性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• 低リーク、高移動度HfSiONゲートを実現する界面制御技術(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• HfSiON絶縁膜を用いたメタルゲートCMOSプロセスの検討
• poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))

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