川原 孝昭 | (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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概要
関連著者
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川原 孝昭
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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山下 朋弘
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吉村 秀文
(株)ルネサステクノロジ
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広島大学大学院先端物質科学研究科
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梅田 浩司
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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西出 征男
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服部 健雄
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辻川 真平
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坂下 真介
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東 雅彦
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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山成 真市
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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武藤 彰良
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服部 健雄
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著作論文
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- CMOS用極薄SiONゲート絶縁膜のn/p独立チューニング(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- XPS/AESによるHfSiOx薄膜の光学的誘電率の推定(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 重水を用いた原子層成長技術によるHigh-kゲート絶縁膜への重水素添加
- polySi/HfAlOx/SiONゲートスタックの経時絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- XPS時間依存測定法によるHfAlOx薄膜中の電荷捕獲現象の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 光電子分光分析によるHfAlOx/Si(100)系スタック構造における界面反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfAlO_x/下地膜界面反応抑制の検討