堀内 淳 | (株)半導体先端テクノロジーズ
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概要
関連著者
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堀内 淳
(株)半導体先端テクノロジーズ
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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(株)半導体先端テクノロジーズ
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半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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(株)半導体先端テクノロジーズ
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(株)ルネサステクノロジ
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北島 洋
(株)半導体先端テクノロジーズ
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(株)半導体先端テクノロジーズ
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産総研
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大平 俊行
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産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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筑波大学数理物質科学研究科
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筑波大学数理物質科学研究科
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筑波大学数理物質科学研究科
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ABUDUL Hamid
物質材料研究機構(NIMS)
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山田 啓作
物質材料研究機構(NIMS)
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三橋 理一郎
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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堀内 淳
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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鳥居 和功
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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有門 経敏
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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樋口 恵一
筑波大学電子・物理工学専攻
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後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
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(独)物質・材料研究機構
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鈴木 良一
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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上殿 明良
筑波大学・物理工学系
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山部 紀久夫
筑波大学
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有門 経敏
(株)半導体先端テクノロジーズ
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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武藤 彰良
(株)半導体先端テクノロジーズ
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川原 孝昭
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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川原 孝明
(株)半導体先端テクノロジーズ high-κ 要素プロセスグループ
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高田 仁志
(株)半導体先端テクノロジーズ high-κ 要素プロセスグループ
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高橋 正志
(株)半導体先端テクノロジーズ high-κ 要素プロセスグループ
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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上殿 明良
筑波大学物理工学系
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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大平 俊行
産業技術総合研究所
著作論文
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- polySi/HfAlOx/SiONゲートスタックの経時絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfAlO_x/下地膜界面反応抑制の検討