大平 俊行 | 産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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概要
関連著者
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大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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大平 俊行
産総研
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鈴木 良一
産総研
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鈴木 良一
産業技術総合研究所
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大島 永康
産総研
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大島 永康
産業技術総合研究所
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大島 永康
理化学研究所
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大平 俊行
産業技術総合研究所
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大平 俊行
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 良一
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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上殿 明良
筑波大学・物理工学系
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上殿 明良
筑波大学物理工学系
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大島 永康
東大 大学院
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大島 永康
産業技術総合研 計測フロンティア研究部門
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木野村 淳
産総研
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金沢 育三
東学大・物理
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木野村 淳
産業技術総合研究所
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木野 村淳
産総研
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藤浪 真紀
千葉大院工
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上殿 明良
筑波大学数理物質科学研究科
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高際 良樹
東大・新領域
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木村 薫
東大・新領域
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北畑 宏樹
東学大・物理
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松下 泰久
東学大・物理
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金沢 育三
東京学芸大.物
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金沢 育三
東京学芸大学教育学部
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木村 薫
東大 工
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高際 良樹
東大新領域
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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藤波 真紀
新日鉄先端技術研
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大島 永康
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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鳴海 貴允
筑波大数理
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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知京 豊裕
物質材料研究機構(NIMS)
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知京 豊裕
物材機構
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上殿 明良
筑波大学物理工学科
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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吉丸 正樹
半導体理工学研究センター
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関山 裕貴
東学大・物理
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茂澄 孝夫
東学大・物理
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永田 智啓
東大・工
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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小林 慶規
産総研計測標準
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永田 智啓
東大・工:(現)ulvac
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小林 慶規
産業技術総合研究所
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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山部 紀久夫
筑波大学
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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中村 友二
半導体理工学センター(starc)
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井上 尚也
半導体理工学センター(STARC)
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林 喜宏
半導体理工学センター(STARC)
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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廣瀬 幸範
半導体理工学センター(STARC)
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大島 永康
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 良一
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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遠藤 大輔
東学大物理
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浅見 憲司
東学大物理
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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小林 慶規
産総研
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小林 慶規
独立行政法人 産業技術総合研究所 計測標準研究部門
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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オローク ブライアン
産業技術総合研究所
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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星野 正光
上智大理工
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佐藤 公法
東京学芸大学環境科学分野
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鈴木 宜之
新潟大理
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鈴木 茂
東北大学多元物質科学研究所
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窪田 翔二
筑波大数理
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渡邉 宏理
筑波大数理
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打越 雅仁
東北大多元研
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鈴木 茂
東北大多元研
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石橋 章司
産業技術総合研究所計算科学研究部門
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岡 壽崇
千葉大院工
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藤浪 真紀
干葉大院工
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大塚 崇
筑波大学数理物質科学研究科
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伊東 健一
筑波大学数理物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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梅澤 直人
物質材料研究機構(NIMS)
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犬宮 誠治
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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神山 聡
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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赤坂 泰志
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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後藤 正和
筑波大学数理物質科学研究科
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樋口 恵一
筑波大学数理物質科学研究科
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池内 恒平
筑波大学数理物質科学研究科
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ABUDUL Hamid
物質材料研究機構(NIMS)
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山田 啓作
物質材料研究機構(NIMS)
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北島 洋
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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三橋 理一郎
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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堀内 淳
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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鳥居 和功
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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有門 経敏
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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樋口 恵一
筑波大学電子・物理工学専攻
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後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
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金井 保之
理研
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山崎 泰規
理研
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岩井 良夫
理研原子物理
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池田 時浩
理研原子物理
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小島 隆夫
理研原子物理
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林崎 規託
東京工業大学
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黒田 隆之助
産業技術総合研究所
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黒田 隆之助
産総研
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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伊藤 文則
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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鹿川 和哉
東学大・物理
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鈴木 寛之
東学大・物理
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堀内 淳
(株)半導体先端テクノロジーズ
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金沢 育三
東学大物理
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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池田 健一
日東電工(株)
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池田 健一
日東電工
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土生 昌宏
農工大工
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Hamann Markus
DESY
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内田 恭敬
帝京科学大学
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小島 隆夫
理研
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池田 時浩
理研
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佐藤 公法
学芸大環境科学
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富樫 寿
独立行政法人産業技術総合研究所
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道田 泰子
独立行政法人産業技術総合研究所
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伊藤 賢志
産業技術総合研究所
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于 潤升
産業技術総合研究所
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平田 浩一
産業技術総合研究所
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富樫 寿
産業技術総合研究所
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佐藤 公法
産業技術総合研究所
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伊藤 賢志
産総研企画本部
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平田 浩一
産総研計測標準
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道田 泰子
産業技術総合研究所
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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星野 正光
上智大学理工学部
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伊藤 文則
NECデバイスプラットフォーム研究所
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竹内 常雄
NECデバイスプラットフォーム研究所
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山本 博規
NECデバイスプラットフォーム研究所
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林 喜宏
NECデバイスプラットフォーム研究所
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石田 宏一
帝京科学大学理工学部
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北島 洋
(株)半導体先端テクノロジーズ
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有門 経敏
(株)半導体先端テクノロジーズ
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丸山 喜之
帝京科学大学理工学部
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加藤 智博
帝京科学大学理工学部
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梅澤 直人
南カリフォルニア大
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鈴木 宣之
東学大・物理
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三橋 理一郎
(株)半導体先端テクノロジーズ
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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島津 彰
日東電工
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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川口 佳秀
日東電工
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赤坂 みどり
日東電工
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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吉丸 正樹
半導体理工学センター(starc)
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SUZUKUI Yasuyuki
Research Center for Nuclear Physics, Niigata University
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浅見 憲司
東学大・物理
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土生 昌宏
東学大・物理
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遠藤 大輔
東学大・物理
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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内田 恭敬
帝京科学大学理工学部
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石田 宏一
帝京科学大学
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廣瀬 幸範
半導体理工学センター (starc)
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江口 和弘
半導体理工学センター (starc)
-
吉丸 正樹
半導体理工学センター (starc)
-
林崎 規託
東京工学大学
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峰原 英介
若狭湾エネルギー研究センター
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鈴木 宜之
新潟大学:理化学研究所
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
-
井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
吉丸 正樹
半導体理工学センター
-
山田 浩平
東学大・物理
-
岩井 良夫
理研
-
峰原 英介
(財)若狭湾エネルギー研究センター
-
石橋 章司
CREST:産総研
-
石橋 章司
産業技術総合研究所
著作論文
- 20aHT-7 陽電子プローブマイクロアナライザーによる延伸鉄試料の欠陥評価(20aHT 領域10 格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 陽電子消滅による窒化物光半導体の点欠陥の評価(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 27aRE-7 陽電子プローブマイクロアナライザーを用いた高分子中の陽電子寿命測定(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pVE-10 陽電子プローブマイクロアナライザーによる欠陥分布の観察(23pVE 格子欠陥・ナノ構造(光物性・微粒子・水素・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- 研究紹介 陽電子による先端半導体材料の評価
- 21aYJ-1 陽電子消滅法によるAlReSi近似結晶の空孔評価と電気物性(21aYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 27pYK-1 陽電子消滅法によるAlReSi近似結晶の空孔評価と電気物性(27pYK 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20pXH-12 ガラスキャピラリーによる陽電子マイクロビーム生成の試み(原子・分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 分光エリプソメトリー及びエネルギー可変陽電子消滅法によるシリカスパッタ薄膜の細孔構造解析
- 陽電子消滅法を用いたポーラスLow-k膜の空孔連結性と吸湿特性の相関(配線・実装技術と関連材料技術)
- エチレン基含有ポーラスシリカ膜の空孔評価
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
- 陽電子消滅法による高分子表面の空隙解析
- 14pXG-14 低速陽電子ビームによる Ni・ポリマー膜の評価(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 30pYE-8 陽電子消滅法を用いた金属・ポリエチレン膜の評価(表面界面構造(金属・その他))(領域9)
- 26pGAB-11 陽電子発生専用超伝導加速器の開発(26pGAB ビームモニタ・大強度ビーム・加速器応用,ビーム物理領域)
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出
- 26pEH-13 AlReSi近似結晶のSPSによる組織改善と陽電子消減法による構造欠陥の評価(26pEH 液体金属・準結晶・金属一般,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 21aJA-11 陽電子発生専用超伝導加速器と新陽電子ビームライン建設の進展報告(21aJA X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))