研究紹介 陽電子による先端半導体材料の評価
スポンサーリンク
概要
著者
-
上殿 明良
筑波大数理
-
上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
-
鈴木 良一
産総研
-
大平 俊行
産総研
-
鈴木 良一
産業技術総合研究所
-
上殿 明良
筑波大学・物理工学系
-
大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
-
上殿 明良
筑波大学物理工学系
関連論文
- 20aHT-7 陽電子プローブマイクロアナライザーによる延伸鉄試料の欠陥評価(20aHT 領域10 格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 陽電子消滅による窒化物光半導体の点欠陥の評価(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 27aRE-7 陽電子プローブマイクロアナライザーを用いた高分子中の陽電子寿命測定(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pVE-10 陽電子プローブマイクロアナライザーによる欠陥分布の観察(23pVE 格子欠陥・ナノ構造(光物性・微粒子・水素・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 18aA07 AlGaN/GaN超格子挿入によるMOVPE成長立方晶GaN中の欠陥密度低減(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- 研究紹介 陽電子による先端半導体材料の評価
- HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 27pYC-9 低速陽電子によるSi基板の炭化により導入された空孔型欠陥の研究
- 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
- 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
- SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
- 低速陽電子によるP注入SiCの欠陥検出と焼鈍特性の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- 陽電子寿命 - ドップラー拡がり相関測定によるポジトロニウムと分子の反応の解析
- 対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作
- イオン注入及び注入後熱処理した3C-SiC中の残留欠陥の研究 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- 陽電子消滅による高分子のガラス転移と緩和現象の検出
- 表面近傍での陽電子の基本的挙動とそれらを利用した材料評価
- 陽電子消滅による高分子材料の評価
- AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- III族窒化物半導体(Al,Ga)Nにおける発光特性と点欠陥の相関関係(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 21aYJ-1 陽電子消滅法によるAlReSi近似結晶の空孔評価と電気物性(21aYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 22pRE-6 Niナノ結晶の照射欠陥蓄積におけるイオンフラックス依存性(放射線物理(固体内衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 27pYK-1 陽電子消滅法によるAlReSi近似結晶の空孔評価と電気物性(27pYK 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20pXH-12 ガラスキャピラリーによる陽電子マイクロビーム生成の試み(原子・分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- カーボンナノ構造体電子源を用いた冷陰極X線源による蛍光X線分析
- 18aTH-3 水素雰囲気下において作成した金属薄膜の低速陽電子ビームによる測定と評価
- 25pY-11 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜の空孔型欠陥の評価
- 25aYL-4 金属薄膜の低速陽電子ビームを用いた欠陥評価
- 28a-XJ-10 低速陽電子ビーム法による金属薄膜の欠陥評価
- 29a-ZA-8 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜の欠陥評価
- 30a-YC-8 低速陽電子寿命法による金属薄膜Fe,Hfの研究
- 26pYS-5 飛行時間法で測定した,固体表面からのポジトロニウム放出(X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 陽電子消滅によるSrTiO3およびBaTiO3の酸素欠陥の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
- 合金シードを用いるめっき銅薄膜のキャラクタリゼーション(機能性界面と分析化学)
- 23aYC-2 蓄積リングTERASにおける汎用LCSラインの建設
- 29pZB-2 乾電池駆動超小型電子加速器・高エネルギーX線源の開発とその応用(29pZB ビーム物理領域,領域10合同シンポジウム:小型加速器の新展開とその応用,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29pZB-2 乾電池駆動超小型電子加速器・高エネルギーX線源の開発とその応用(29pZB ビーム物理領域,領域10合同シンポジウム:小型加速器の新展開とその応用,ビーム物理領域)
- 23pXB-4 エネルギー可変パルス陽電子ビームで探る材料ナノ構造(領域10シンポジウム主題:エキゾチック粒子で探る物質ナノ構造と物性,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 陽電子ビーム1.低速陽電子ビームの発生
- 30p-YT-3 低速陽電子ビーム寿命測定法による準結晶AIPdMnの研究
- 分光エリプソメトリー及びエネルギー可変陽電子消滅法によるシリカスパッタ薄膜の細孔構造解析
- 低速陽電子によるSiO_2膜の評価
- 自動温度可変消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作と金属の熱平衡状態測定への応用
- 陽電子消滅法を用いたポーラスLow-k膜の空孔連結性と吸湿特性の相関(配線・実装技術と関連材料技術)
- レーザーコンプトンγ線ビームを用いた物体内部のCT可視化
- AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- エチレン基含有ポーラスシリカ膜の空孔評価
- 29pYC-5 水素雰囲気中において作成したFe単層膜の低速陽電子ビームによる評価
- 23pYH-11 水素雰囲気下におけるFe単層膜の作成と低速陽電子ビームによる測定
- 3a-C-12 陽電子寿命-運動量相関測定による非晶質合金中の空孔型欠陥の研究
- 30a-PS-36 酸素吸着MoS_2表面の陽電子消滅励起オージェ電子分光
- 31a-S-6 MoS_2表面の陽電子消滅励起オージェ電子分光
- 短パルス陽電子ビームを用いた2次元寿命測定 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
- 規則性ポア構造をもつlow-k層間絶縁膜の陽電子分析 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
- 1a-SG-14 BGO64検出器陽電子消滅角相関装置の製作
- 1a-SG-13 陽電子消滅の温度・スペクトル2次元相関測定法の開発とAl合金中の熱平衡欠陥
- 陽電子消滅による電子線照射石英ガラスの欠陥の検出
- 陽電子消滅法による高分子表面の空隙解析
- 14pXG-14 低速陽電子ビームによる Ni・ポリマー膜の評価(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 30pYE-8 陽電子消滅法を用いた金属・ポリエチレン膜の評価(表面界面構造(金属・その他))(領域9)
- 21aXA-3 低速陽電子ビームによる Ni・ポリマー膜の評価
- 29pXJ-1 金属・ポリマー膜の低速陽電子ビームによる測定と評価
- 27a-ZN-3 陽電子消滅によるSiの酸素と電子線照射により導入された欠陥の相互作用の研究
- 針葉樹状カーボンナノ構造体を用いた冷陰極X線源
- 1p-M-7 Pb希薄合金の熱平衡陽電子消滅実験
- 1p-M-6 Al希薄合金の熱平衡陽電子消滅実験における高温域での異常
- 1p-M-5 低速陽電子法によるNiに注入したHeの深さ分布測定
- 1p-M-4 低速陽電子法によるInPの表面欠陥の検出
- 2a-KL-9 陽電子消滅法によるInP単結晶の評価
- 26pGAB-11 陽電子発生専用超伝導加速器の開発(26pGAB ビームモニタ・大強度ビーム・加速器応用,ビーム物理領域)
- ポジトロン消滅と材料の解析
- 27pTN-4 低速陽電子ビーム大気取り出し法の研究(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pEH-13 AlReSi近似結晶のSPSによる組織改善と陽電子消減法による構造欠陥の評価(26pEH 液体金属・準結晶・金属一般,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 21aJA-12 低速陽電子ビームを用いた大気中試料の空孔分析法の開発(21aJA X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 陽電子消滅による高分子材料評価
- 24p-T-3 薄膜の欠陥評価への低速陽電子線の応用
- 表面・界面プローブとしての低速陽電子
- 単色陽電子線による半導体の表面・界面近傍の欠陥評価
- 3a-C4-6 MOS積層構造中の荷電粒子(陽電子)の挙動と界面欠陥
- 6a-A3-4 深さの関数としての陽電子消滅測定(II) : 金属中の注入希ガス原子
- 6a-A3-3 深さの関数としての陽電子消滅測定(I) : 半導体のイオン注入欠陥
- 単一エネルギ-低速陽電子を用いた表面解析装置
- 27a-Z-9 単色低速陽電子線を用いたSiのBイオン注入に伴う欠陥分布の測定
- 27A-Z-8 単色低速陽電子線を用いた金属中のHeイオン注入プロファイルの測定
- 30p-RC-6 低速陽電子による金属中の注入Heの集合、再放出過程の測定
- 5p-E-4 低速陽電子法によるSiO_2/Si界面の照射効果
- 3a-C-13 非晶質金属における陽電子捕獲効果の温度依存性
- 2a-RJ-8 低速陽電子による表面損傷の研究
- 11p-A-12 低速陽電子装置による表面、界面研究法の開発
- 24pCE-2 大気中湿度制御環境下における低速陽電子計測法の開発(24pCE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 29aXZB-7 インダクションバンチャーを用いた高効率陽電子ビームパルス化システムの開発(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 29aXZB-7 インダクションバンチャーを用いた高効率陽電子ビームパルス化システムの開発(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
- 26pWG-4 陽電子寿命運動量相関測定によるSiO_2/Siの研究(26pWG 領域10シンポジウム主題:陽電子消滅・コンプトン散乱研究での相関・コインシデンス測定,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
- 24pXR-9 低速陽電子ビームを用いた水素雰囲気下で作成した金属薄膜の欠陥評価(24pXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
- 28pAL-15 小型シンチレータを用いた欠陥分布の3次元イメージングに関する研究(28pAL X線・粒子線(電子線,陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28pAL-14 陽電子プローブ用静電加速システムの開発(28pAL X線・粒子線(電子線,陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))