HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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HfAIO_x膜をゲート絶縁膜とするMOSキヤパシタのゲート電圧を、ストレス電圧から階段的降圧した時の過渡電流および過渡容量を評価した。HfAlO_x膜厚7nmでは、フラツトバンド電圧への降圧時の容量変化、フラツトバンド電圧変化、電流変化から、過渡電流が腹中の捕獲電荷の再放出によるモデルでも誘電緩和でも説明できることを示した。HfMO_x膜厚3nmでは、PDA効果によるopen spaceの縮小が過渡電流現象と関連していることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-15
著者
-
上殿 明良
筑波大数理
-
上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
-
鳥居 和功
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
樋口 恵一
筑波大学電子・物理工学専攻
-
後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
-
蓮沼 隆
筑波大学電子・物理工学専攻
-
山部 紀久夫
筑波大学電子・物理工学専攻
-
上殿 明良
筑波大学・物理工学系
-
鳥居 和功
日立製作所中央研究所
-
蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
山部 紀久夫
筑波大学
-
後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
-
上殿 明良
筑波大学物理工学系
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