XPS時間依存測定法によるHfAlOx薄膜中の電荷捕獲現象の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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XPS時間依存測定法を用いてSi(100)基板上に形成した極薄HfAlOx膜中の電荷捕獲現象を評価した.膜中のトラップ密度を推定するとともに,絶縁膜にかかる電圧の変化を見積もることができることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-15
著者
-
鳥居 和功
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
服部 健雄
武蔵工業大学工学部
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
鳥居 和功
日立製作所中央研究所
-
川原 孝昭
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
川原 孝昭
(株)ルネサステクノロジ
-
廣瀬 和之
総合研究大学院大学
-
廣瀬 和之
総合研究大学院大学:宇宙科学研究本部
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
-
山脇 師之
総合研究大学院大学
-
川原 孝昭
半導体先端テクノロジーズ
-
廣瀬 和之
JAXS宇宙科学研究本部
-
川尻 智司
武蔵工業大学工学研究科
-
廣瀬 和之
宇宙科学研究所
-
服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
-
服部 健雄
武蔵工業大学
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