28aYB-2 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜/Si界面電子状態の直接観測(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2006-03-04
著者
-
吉信 淳
東大物性研
-
原田 慈久
東大院工
-
野平 博司
Musashi Institute Of Technology
-
山下 良之
物材機構
-
向井 孝三
東大物性研
-
吉信 淳
東京大学物性研究所
-
TOKUSHIMA Takashi
RIKEN/SPring-8
-
HORIKAWA Yuka
RIKEN/SPring-8
-
徳島 高
理研:spring8
-
田村 直義
富士通研究所
-
徳島 高
理研 Spring-8
-
原田 慈久
理研 SPring-8
-
山下 良之
東大物性研
-
小口 和博
東大物性研
-
幸 埴
東大物性研
-
野平 博司
武蔵工大
-
服部 健雄
武蔵工大
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
-
田村 直義
富士通研
-
Nakazawa Hiroshi
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
-
幸 埴
東大物性研:理研 Spring-8
-
服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
-
原田 慈久
東京大学
-
徳島 高
理化学研究所
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