服部 健雄 | 東京工業大学フロンティア研究機構

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概要

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• 同名の論文著者
• 東京工業大学フロンティア研究機構の論文著者

関連著者

• 服部 健雄

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 服部 健雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 野平 博司

  Musashi Institute Of Technology

• 服部 健雄

  武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター

• 服部 健雄

  武蔵工業大学工学部

• 野平 博司

  武蔵工業大学工学部

• 寺本 章伸

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 池永 英司

  高輝度光科学研究センター

• 高橋 健介

  武蔵工大工

• 服部 健雄

  東北大学未来情報産業共同研究センター

• 須川 成利

  東北大学 大学院 工学研究科

• 樋口 正顕

  株式会社東芝

• 高橋 健介

  武蔵工業大学工学部

• 池永 英司

  (財)高輝度光科学研究センター

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 廣瀬 和之

  総合研究大学院大学

• 須川 成利

  東北大学工学研究科技術社会システム

• 角嶋 邦之

  東工大総理工

• 樋口 正顕

  東北大学工学研究科

• 品川 誠治

  武蔵工業大学工学部

• 筒井 一生

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

• 廣瀬 和之

  総合研究大学院大学:宇宙科学研究本部

• 服部 健雄

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 杉井 信之

  (株)日立製作所中央研究所

• 杉井 信之

  東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻

• 諏訪 智之

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 名取 研二

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 吉田 徹史

  武蔵工業大学工学部

• 大見 忠弘

  東北大学

• 高橋 敏男

  東京大学物性研究所

• 小林 啓介

  高輝度光科学研究センター

• 高田 恭孝

  東大新領域:理研:spring8

• 依田 芳卓

  Jasri

• 三木 一司

  物材機構

• 隅谷 和嗣

  東大物性研

• 三木 一司

  電総研

• 荒谷 崇

  信越化学工業株式会社

• 矢代 航

  東大新領域

• 廣瀬 和之

  宇宙科学研

• 矢代 航

  物材機構ナノマテ:産総研ナノテク

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター

• アヘメト パールハット

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 三木 一司

  物材機構ナノマテ:産総研ナノテク

• 三木 一司

  物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 三木 一司

  産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター

• 三木 一司

  物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 三木 一司

  (独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター

• 三木 一司

  (独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ

• 大見 忠弘

  東北大学 未来科学技術共同研究センター

• 須川 成利

  東北大学大学院工学研究科

• 高田 恭孝

  理化学研究所量子秩序研究チーム

• 高田 恭孝

  理化学研究所放射光物性研究室-spring-8

• 池永 英司

  Crest・jst

• セマン ムスタファ

  武蔵工業大学工学部

• 辛 埴

  理化学研究所・播磨研究所

• 角嶋 邦之

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• パールハット アヘメト

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 品川 盛治

  武蔵工業大学工学部

• 岡本 英介

  武蔵工業大学工学部

• 東 和文

  (株)液晶先端技術開発センター

• 白石 貴義

  武蔵工業大学工学部

• 室 隆桂之

  JASRI

• 依田 芳卓

  JASRI, SPring-8

• 室隆 桂之

  SPring-8 JASRI

• 原田 慈久

  東大院工

• 小林 啓介

  物材機構

• 高橋 敏男

  東大物性研

• HORIKAWA Yuka

  RIKEN/SPring-8

• 中田 行彦

  株式会社液晶先端技術開発センター

• 依田 芳卓

  高輝度光科学研究センター

• 室 隆桂之

  高輝度光科学研究センター

• 野平 博司

  武蔵工大

• 服部 健雄

  武蔵工大

• 服部 健雄

  武蔵工大工

• 室 桂隆之

  JASRI SPring-8

• 矢代 航

  物材機構ナノマテ

• 三木 一司

  物材機構ナノマテ

• 隅谷 和嗣

  東京大学物性研究所

• セマン ムスタファ

  武蔵工業大学 工学部

• 荒谷 崇

  東北大学大学院工学研究科

• 樋口 正顕

  東北大学大学院工学研究科

• 加勢 正隆

  富士通株式会社

• 熊谷 勇喜

  東北大学大学院工学研究科

• 堀 充明

  富士通

• 堀 充明

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 加瀬 正隆

  富士通

• 佐藤 創志

  東京工業大学フロンティア研究機構

• アヘメト パルハット

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 生田 哲也

  富士通株式会社lsi事業本部

• 塩路 昌利

  武蔵工業大学工学部

• 中田 行彦

  (株)液晶先端技術開発センター

• SEMAN Mustafa

  武蔵工業大学工学部

• Teramoto A

  New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University

• 山脇 師之

  総合研究大学院大学

• 矢橋 牧名

  JASRI

• 玉作 賢治

  理研

• 鈴木 基史

  京大院工

• 鈴木 基史

  京大

• 吉信 淳

  東大物性研

• 木村 健二

  京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻

• 中嶋 薫

  京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻

• 島田 賢也

  広大放射光

• 鳥居 和功

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 中村 仁

  電通大

• 大見 俊一郎

  東京工業大学

• 小林 啓介

  JASRI SPring-8

• 山下 良之

  物材機構

• 高田 恭孝

  理研

• 矢橋 牧名

  SPring-8 JASRI

• 室 隆桂之

  財団法人高輝度光科学研究センター

• 池永 英司

  JASRI SPring-8

• 西野 吉則

  理研

• 西野 吉則

  理研/SPring-8

• 向井 孝三

  東大物性研

• 玉作 賢治

  理化学研究所播磨研究所

• 大見 俊一郎

  東京工業大学総合理工学研究科

• 大見 俊一郎

  東京工業大学・総合理工学研究科

• 吉信 淳

  東京大学物性研究所

• 生天目 博文

  広大放射光

• 中村 仁

  電通大量子・物質工学科

• 廣沢 一郎

  Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI)

• 原田 慈久

  理研SPring-8

• 辛 埴

  理研SPring-8

• 原田 慈久

  東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8

• 山口 拓也

  島根医科大学 第三内科

• 中嶋 薫

  京大工

• 木村 健二

  京大工

• TOKUSHIMA Takashi

  RIKEN/SPring-8

• 室隆 佳之

  JASRI

• 西野 吉則

  理化学研究所

• 広沢 一郎

  NEC

• 徳島 高

  理研:spring8

• 島田 賢也

  SPring-8

• 広沢 一郎

  高輝度光科学研究センター

• 田村 直義

  富士通研究所

• 三輪 大吾

  理研 Spring-8

• 石川 哲也

  理化学研究所放射光科学総合研究センター

• 広沢 一郎

  Nec分析評価センター

• 広沢 一郎

  Jasri

• 廣沢 一郎

  高輝度光科学研究センター(spring-8)

• 廣沢 一郎

  (財)高輝度光科学研究センター利用研究促進部門i

• 廣沢 一郎

  財団法人高輝度光科学研究センター

• 徳島 高

  理研 Spring-8

• 原田 慈久

  理研 SPring-8

• 山下 良之

  東大物性研

• 小口 和博

  東大物性研

• 幸 埴

  東大物性研

• 三輪 大吾

  SPring-8

• 有田 将司

  理研

• 小林 啓介

  広大放射光

• 堀場 弘治

  理研 SPring-8

• 堀場 弘司

  東大工:jst-crest

• 中嶋 薫

  京大院工

• 木村 健二

  京大院工

• 中嶋 薫

  京都大学大学院工

• 鈴木 基史

  京都大学大学院工

• 木村 健二

  京都大学大学院工

• 矢代 航

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所

• 三木 一司

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所

• 矢代 航

  産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門

• 三木 一司

  産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門

• 木村 健二

  京大 大学院工学研究科

• 中村 智裕

  武蔵工業大学工学部

• 池永 英司

  SPring-8 JASRI

• 小村 政則

  東北大学工学研究科

• 梅田 浩司

  ULSI技術開発センター

• 生天目 博文

  SPring-8

• 牛尾 二郎

  株式会社日立製作所

• 荒谷 崇

  東北大学工学研究科技術社会システム専攻

• 平山 昌樹

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 濱田 龍文

  東北大学大学院工学研究科

• 服部 武雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• Kobayashi Keisuke

  JASRI SPring8

• 河瀬 和雅

  三菱電機(株)先端総研

• 梅田 浩司

  (株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部

• 井上 真雄

  (株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部

• 小村 政則

  東北大学大学院工学研究科

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 井上 真雄

  (株)ルネサステクノロジ

• 川原 孝昭

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 梅田 浩司

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 川原 孝昭

  (株)ルネサステクノロジ

• 廣瀬 和之

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部

• 中嶋 薫

  京大 大学院工学研究科

• 茂森 直澄

  東京工業大学フロンティア研究機構

• AHMET Parhat

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 来山 大祐

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 小柳 友常

  東京工業大学フロンティア研究機構

• Parhat Ahmet

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 加瀬 正隆

  富士通株式会社LSI事業本部

• 木下 豊彦

  高輝度光科学研究センター利用研究促進部門

• 広沢 一郎

  Necデバイス評価技術研究所

• 鈴木 伸子

  総合研究大学院大学

• 川原 孝昭

  半導体先端テクノロジーズ

• 廣瀬 和之

  JAXS宇宙科学研究本部

• 川尻 智司

  武蔵工業大学工学研究科

• 小椋 厚志

  明治大学理工学部電気電子生命学科

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著作論文

• シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• 28aYB-2 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜/Si界面電子状態の直接観測(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 13aTJ-9 SiO_2/Si 界面下に誘起されたメゾスコピックスケール歪みの解明 : 位相敏感 X 線回折法による(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
• 14pXG-10 SiO_2/Si 界面下に誘起された歪み場中の静的構造揺らぎ(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• SiO_2/Si界面下に誘起された格子歪み : 位相敏感X線回折法による(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 位相敏感X線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
• NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
• マイクロ波励起プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の形成
• プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
• SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
• EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 極薄シリコン酸窒化膜の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• プラズマ窒化によるシリコン酸窒化膜のX線光電子分光(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• XPS時間依存測定法によるHfAlOx薄膜中の電荷捕獲現象の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 酸素ラジカルを用いて形成したSiO_2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性(プロセス科学と新プロセス技術)
• 原子スケールで平坦なSiO_2/Si酸化膜界面歪の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 24pXJ-10 シリコン表面極浅ドープボロン原子の内殻発光分光による電子状態観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
• X線光電子分光法による極薄シリコン酸化膜の高精度膜厚算出
• シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性
• 角度分解光電子分光法による深さ方向組成分析の高精度化の試み
• XPSを用いたAu/極薄SiO_2界面のバリアハイトの測定(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• high-k 膜のXPSによる評価
• ラジカル酸化および熱酸化により形成した極薄シリコン酸化膜中の電子の脱出深さ(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• 13aXC-10 硬 X 線光電子分光の高分解能化・高効率化(吸収分光・MCD・光電子分光, 領域 5)
• Si-SiO_2系の形成・構造・物性
• LSIにかかわる技術の変遷と課題
• SiO_2/Si(111)界面における価電子に対するエネルギー障壁
• SiO_2/Si(111)界面における価電子に対するエネルギー障壁
• 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_Asの界面解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• SiO_2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性(プロセス科学と新プロセス技術)
• 光電子分光法によるSi系材料ナノ構造の評価
• シリコンの酸化機構解明の手がかりを求めて
• 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案

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