鈴木 基史 | 京都大学大学院工
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概要
関連著者
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鈴木 基史
京都大学大学院工
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鈴木 基史
京大院工
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鈴木 基史
京大
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中嶋 薫
京都大学大学院工
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木村 健二
京都大学大学院工
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鈴木 基史
産業技術総合研究所
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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北村 隆行
京都大学大学院工学研究科
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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澄川 貴志
京都大学大学院工学研究科
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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澄川 貴志
京都大学大学院
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北村 隆行
京都大学大学院工学研究科機械物理工学専攻
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北村 隆行
京都大学
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趙 明
京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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植松 真司
NTT物性科学基礎研究所
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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鈴木 基史
京都大学
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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澄川 貴志
京都大学
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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大見 俊一郎
東京工業大学
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野平 博司
Musashi Institute Of Technology
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大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
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大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
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中嶋 薫
京大工
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木村 健二
京大工
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角嶋 邦之
東工大総理工
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松下 知義
京大院工
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中嶋 薫
京大院工
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木村 健二
京大院工
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為広 信也
京大院工
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松下 知義
京都大学大学院工
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為広 信也
京都大学大学院工
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高橋 健介
武蔵工大工
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高橋 健介
武蔵工業大学工学部
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服部 健雄
武蔵工業大学工学部
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木村 健二
京大 大学院工学研究科
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野平 博司
武蔵工業大学工学部
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井手 修平
京都大学[院]
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武村 正輝
京都大学[院]
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末田 泰介
京都大学[院]
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二村 有哉
京都大学
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舘 喜一
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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角嶋 邦之
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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大田 行俊
京都大学大学院工学研究科
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井手 修平
京都大学
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末田 泰介
京都大学
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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武村 正輝
京都大学
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中嶋 薫
京大 大学院工学研究科
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
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白石 貴義
武蔵工業大学工学部
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア研究機構
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岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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鈴木 基史
京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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柏木 郁未
東京工業大学総合理工学研究科
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大島 千鶴
東京工業大学フロンティア研究所
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城森 慎司
京都大学大学院工学研究科
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大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
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羽野 仁彦
京都大学大学院工学研究科
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羽野 仁彦
京大工
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岩井 洋
東京工業大学
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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舘 喜一
東京工業大学フロンティア研究機構
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服部 健雄
武蔵工業大学
著作論文
- 28aTA-1 低速C_のKCl(001)表面における鏡面反射(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 505 微小曲げ試験片を用いたTa_2O_5薄膜の変形特性評価(ナノ材料の創製と応用,ナノ材料の創成と応用,オーガナイスドセッション8)
- 504 ナノらせん要素配列薄膜端部における破壊特性評価(ナノ材料の特性評価,ナノ材料の創成と応用,オーガナイスドセッション8)
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 高分解能ラザフォード後方散乱分光法(高分解能RBS)を用いた界面近傍の格子ひずみ測定
- 高分解能ラザフォード後法散乱法を用いた極浅ドーパントの深さプロファイル分析
- 高温斜め蒸着による金属ナノウィスカの気相成長
- 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 高分解能RBS/channelingを用いたSiO_2/Si(001)の界面分析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)