高分解能RBS/channelingを用いたSiO_2/Si(001)の界面分析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
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概要
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超高真空散乱槽内でSi(001)清浄表面に厚さ0.7-1.0 nmの極薄シリコン酸化膜を室温で成長させ、その場で界面の分析を高分解能RBS/channelingによって行った。その結果、SiO_2/Si(001)界面のシリコン基板側に、表面に垂直な方向の圧縮ひずみが存在することが分かった。圧縮ひずみは界面から深さ1nm以上まで分布しており、界面からの深さ1nmにおいて、ひずみの大きさは約1.5%であった。また、Si(001)清浄表面にも深さ1nm以上まで表面に垂直な1%近い圧縮ひずみが存在することも分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-20
著者
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