木村 健二 | 京都大学大学院工
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概要
関連著者
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中嶋 薫
京都大学大学院工
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木村 健二
京都大学大学院工
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鈴木 基史
京大院工
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鈴木 基史
京大
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鈴木 基史
京都大学大学院工
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鈴木 基史
産業技術総合研究所
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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中嶋 薫
京大院工
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木村 健二
京大院工
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木村 健二
京大 大学院工学研究科
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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趙 明
京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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植松 真司
NTT物性科学基礎研究所
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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中嶋 薫
京大 大学院工学研究科
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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大見 俊一郎
東京工業大学
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野平 博司
Musashi Institute Of Technology
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大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
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大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
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中嶋 薫
京大工
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木村 健二
京大工
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石川 順三
Dep. Of Electronics And Information Engineering Chubu Univ.
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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角嶋 邦之
東工大総理工
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松下 知義
京大院工
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為広 信也
京大院工
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松下 知義
京都大学大学院工
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為広 信也
京都大学大学院工
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高橋 健介
武蔵工大工
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高橋 健介
武蔵工業大学工学部
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服部 健雄
武蔵工業大学工学部
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野平 博司
武蔵工業大学工学部
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舘 喜一
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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角嶋 邦之
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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大田 行俊
京都大学大学院工学研究科
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
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辻 博司
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
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白石 貴義
武蔵工業大学工学部
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア研究機構
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岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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柏木 郁未
東京工業大学総合理工学研究科
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大島 千鶴
東京工業大学フロンティア研究所
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城森 慎司
京都大学大学院工学研究科
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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洗 暢俊
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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中塚 博之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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後藤 直行
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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箕谷 崇
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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小嶋 研史
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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奥峰 徹也
シャープ株式会社デバイス技術研究所
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足立 浩一郎
シャープ株式会社デバイス技術研究所
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小滝 浩
シャープ株式会社デバイス技術研究所
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Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
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羽野 仁彦
京都大学大学院工学研究科
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羽野 仁彦
京大工
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Hirama Toshiyasu
Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences
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Tsujii Hirohiko
バングラデシュ
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岩井 洋
東京工業大学
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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舘 喜一
東京工業大学フロンティア研究機構
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服部 健雄
武蔵工業大学
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科
-
辻 博司
京都大学大学院工学研究科
著作論文
- 28aTA-1 低速C_のKCl(001)表面における鏡面反射(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 高分解能ラザフォード後方散乱分光法(高分解能RBS)を用いた界面近傍の格子ひずみ測定
- 高分解能ラザフォード後法散乱法を用いた極浅ドーパントの深さプロファイル分析
- 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 高分解能ラザフォード後方散乱分析(RBS)による銀負イオン注入熱酸化薄膜における銀の熱拡散分布の測定と拡散障壁による単層銀ナノ粒子の形成
- 高分解能RBS/channelingを用いたSiO_2/Si(001)の界面分析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)