植松 真司 | NTT物性科学基礎研究所
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概要
関連著者
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植松 真司
NTT物性科学基礎研究所
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植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
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影島 博之
NTT物性基礎研
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白石 賢二
筑波大学物理学系
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白石 賢二
筑波大物理
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秋山 亨
三重大工
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秋山 亨
三重大学大学院工学研究科
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赤木 和人
東北大WPI
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白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
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赤木 和人
東大院理
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赤木 和人
東北大
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鈴木 基史
京大院工
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鈴木 基史
産業技術総合研究所
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鈴木 基史
京大
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伊藤 智徳
三重大工
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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高橋 庸夫
NTT物性基礎研
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中嶋 薫
京都大学大学院工
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鈴木 基史
京都大学大学院工
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木村 健二
京都大学大学院工
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趙 明
京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
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高橋 庸夫
北大
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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赤木 和人
東大理
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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深津 茂人
Ntt物性科学基礎研究所
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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伊藤 公平
慶応大理工
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常行 真司
東大院理
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常行 真司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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常行 真司
東大理
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中嶋 薫
京大工
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木村 健二
京大工
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藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
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角嶋 邦之
東工大総理工
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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中嶋 薫
京大院工
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木村 健二
京大院工
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木村 健二
京大 大学院工学研究科
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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舘 喜一
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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角嶋 邦之
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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中嶋 薫
京大 大学院工学研究科
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア研究機構
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伊藤 公平
慶應義塾大学理工学部物理情報工学科
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常行 真司
NTT物性基礎研
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深津 茂人
慶應義塾大学理工学部
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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舘 喜一
東京工業大学フロンティア研究機構
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伊藤 公平
慶應義塾大学理工学部
著作論文
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 21aWH-9 SiO_2/Si(100)界面でのSi輸送過程(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYK-9 SiO_2中の酸素拡散と酸素安定サイトの存在の可能性(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 15aPS-29 SiO_2/Si(100) での格子間 Si の研究(領域 9)
- 21pXA-9 SiO_2/Si(100) 界面近傍における余剰 Si 点欠陥の安定性
- SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
- 23aYD-14 シリコン酸化物中の余剰原子および欠陥の拡散挙動 : 第一原理分子動力学計算からのアプローチ
- Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 新しい物理モデルに基づいたシリコン熱酸化のシミュレーション
- 極薄シリコン酸化膜形成の理論
- 20pRE-1 半導体における拡散(シンポジウム 粒子の拡散と媒質の構造,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
- プロセスシミュレーションにおける物理モデル
- 24pPSA-56 si酸化膜界面におけるSi原子の振る舞い
- Si/SiO_2界面形成における歪みの役割