藤原 聡 | Ntt物性科学基礎研究所
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概要
関連著者
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藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
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高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
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高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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高橋 庸夫
北大
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小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
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西口 克彦
NTT物性科学基礎研究所
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西口 克彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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小野 行徳
Ntt
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猪川 洋
静岡大学電子工学研究所
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高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
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猪川 洋
静岡大学 電子工学研究所
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高橋 庸夫
東北大・工
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高橋 庸夫
日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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有田 正志
北海道大学大学院 情報科学研究科
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高橋 庸夫
NTT物性基礎研
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有田 正志
北海道大学大学院情報科学研究科
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影島 博之
NTT物性基礎研
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高品 圭
バース大物理
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平山 祥郎
東北大理:erato-jst
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藤原 聡
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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猪川 洋
Ntt物性研
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高橋 庸夫
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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高品 圭
NTT物性科学基礎研究所
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開澤 拓弥
北海道大学大学院情報科学研究科
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山崎 謙治
NTT物性科学基礎研究所
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竹中 浩人
北海道大学大学院情報科学研究科
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内田 貴史
北海道大学大学院情報科学研究科
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篠原 迪人
北海道大学大学院情報科学研究科
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内田 貴史
北海道大学大学院 情報科学研究科
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竹中 浩人
北海道大学大学院 情報科学研究科
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永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
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永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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篠原 迪人
北海道大学院情報科学研究科
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平山 祥郎
東北大理
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永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
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曹 民圭
北海道大学大学院情報科学研究科
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小野 行徳
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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新井田 佳孝
東北大理
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登坂 仁一郎
Ntt物性科学基礎研究所
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平山 祥郎
NTT物性基礎研
-
新井田 佳孝
NTT物性科学基礎研究所
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村瀬 克実
NTT物性科学基礎研究所
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栗原 健二
NTTアドバンステクノロジ株式会社
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高品 圭
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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平山 祥郎
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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太田 英二
慶應義塾大学
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藤澤 利正
NTT物性基礎研
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宮崎 康晶
NTT物性科学基礎研究所
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藤澤 利正
東工大極低温セ
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栗原 健二
NTT物性科学基礎研
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猪川 洋
日本電信電話(株)lsi研究所
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宮崎 康晶
Ntt物性科学基礎研究所:慶應義塾大学大学院理工学研究科
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太田 英二
慶應義塾大学大学院理工学研究科
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堀越 佳治
早稲田大学理工学部
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劉 冠廷
早稲田大学大学院電気工学専攻
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堀越 佳治
早稲田大学大学院電気工学専攻
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藤沢 利正
Ntt 基礎研
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加藤 勇樹
北海道大学院情報科学研究科
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三上 圭
北海道大学院情報科学研究科
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吉岡 勇
北海道大学大学院情報科学研究科
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伊藤 公平
慶応大理工
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村木 康二
NTT物性基礎研
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佐藤 弘明
静岡大学電子工学研究所
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レナー バンソン
NTT物性科学基礎研究所
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太田 剛
NTT物性基礎研
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太田 剛
SORST-JST
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植松 真司
NTT物性科学基礎研究所
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白石 賢二
筑波大学物理学系
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影島 博之
Ntt物性科学基礎研究所
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堀口 誠二
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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ブルン マークオレル
SORST-JST
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モード ダンカン
LCMI-CNRS
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白石 賢二
筑波大物理
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永瀬 雅夫
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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伊藤 公平
慶應義塾大学理工学部物理情報工学科
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藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所 先端デバイス研究部
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生津 英夫
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
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深津 茂人
Ntt物性科学基礎研究所
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深津 茂人
慶應義塾大学理工学部
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生津 英夫
Ntt 物性科学基礎研
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平山 祥郎
東北大理:jst-erato
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佐藤 弘明
静岡大学 電子工学研究所
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伊藤 公平
慶應義塾大学理工学部
著作論文
- 25aYG-5 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : Si層の有効誘電率(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- CP-1-1 新探求素子(Emerging Research Device)および単電子デバイスの研究動向(CP-1.量子およびナノデバイスロードマップ,パネルセッション,ソサイエティ企画)
- 28aTX-7 ダブルゲートSi MOSFET中の電子・正孔移動度とSi/SiO_2界面状態(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 23pXA-13 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : 膜厚の効果(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYK-8 SiO_2/(100)Si/SiO_2量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- ナノメータMOSFETにおける容量パラメータの直接測定
- ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 : 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 22pPSA-73 水素終端Si(111)単二重層ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 19pRC-3 SiO_2/Si/SiO_2量子井戸に閉じ込められた二次元電子系における電気抵抗の温度依存性(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- 未来を拓く先端技術 シリコン単電子デバイス集積化の最近の展望
- 20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
- 単電子の転送と検出デバイス
- 単電子トランジスタとMOSトランジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
- Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 25aWR-12 シリコン二次元電子系における谷偏極状態での金属絶縁体相転移(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 : 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
- シリコンナノ構造でのパターン依存酸化現象の観察
- Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
- Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
- 単一電子を利用した確率共鳴 (シリコン材料・デバイス)
- 単一電子を利用した確率共鳴 (電子デバイス)
- 単電子デバイス-1個の電子で動作する究極の電子デバイス-
- 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
- SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
- 13pYB-6 シリコン二次元電子系のランダウ準位交差における抵抗スパイク(量子ホール効果, 領域 4)
- 28pYG-1 量子ホール領域におけるSIMOX MOSFETの温度と磁場依存性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
- 21pTL-6 SIMOX MOSFET 中量子井戸の二次元電子系 : 谷分離と二層系
- Si細線における単一電荷の検出と操作
- シリコン細線MOS構造における素電荷の検出と転送
- SC-9-5 シリコン系量子効果デバイスと単電子デバイスの進展
- シリコン細線MOS構造における素電荷の検出と転送
- 単一電子を利用した確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単一電子を利用した確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコン紬線MOS構造における素電荷の検出と転送
- パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光(機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴
- 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴
- パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性
- シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
- シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
- パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性
- 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価(機能ナノデバイス及び関連技術)