西口 克彦 | 日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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概要
関連著者
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藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
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西口 克彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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西口 克彦
NTT物性科学基礎研究所
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小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
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猪川 洋
静岡大学電子工学研究所
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猪川 洋
静岡大学 電子工学研究所
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高橋 庸夫
北大
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高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
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小野 行徳
Ntt
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猪川 洋
Ntt物性研
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高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
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影島 博之
NTT物性基礎研
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高橋 庸夫
東北大・工
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高橋 庸夫
日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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登坂 仁一郎
Ntt物性科学基礎研究所
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平山 祥郎
東北大理
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藤澤 利正
NTT物性基礎研
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新井田 佳孝
NTT物性科学基礎研究所
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高品 圭
NTT物性科学基礎研究所
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藤原 聡
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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小野 行徳
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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佐藤 弘明
静岡大学電子工学研究所
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平山 祥郎
東北大理:erato-jst
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藤澤 利正
東工大極低温セ
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新井田 佳孝
東北大理
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高品 圭
バース大物理
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藤沢 利正
Ntt 基礎研
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佐藤 弘明
静岡大学 電子工学研究所
著作論文
- 20aYK-8 SiO_2/(100)Si/SiO_2量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- ナノメータMOSFETにおける容量パラメータの直接測定
- ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 : 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- 未来を拓く先端技術 シリコン単電子デバイス集積化の最近の展望
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
- シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 : 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
- 単一電子を利用した確率共鳴 (シリコン材料・デバイス)
- 単一電子を利用した確率共鳴 (電子デバイス)
- 単一電子を利用した確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単一電子を利用した確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光(機能ナノデバイス及び関連技術)
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