新井田 佳孝 | 東北大理

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概要

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関連著者

• 平山 祥郎

  東北大理

• 藤原 聡

  Ntt物性科学基礎研究所

• 新井田 佳孝

  東北大理

• 高品 圭

  バース大物理

• 新井田 佳孝

  NTT物性科学基礎研究所

• 高品 圭

  NTT物性科学基礎研究所

• 小野 行徳

  NTT物性科学基礎研究所

• 平山 祥郎

  東北大理:erato-jst

• 小野 行徳

  Ntt

• 藤澤 利正

  NTT物性基礎研

• 藤澤 利正

  東工大極低温セ

• 藤沢 利正

  Ntt 基礎研

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 西口 克彦

  NTT物性科学基礎研究所

• 西口 克彦

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• レナー バンソン

  NTT物性科学基礎研究所

• 平山 祥郎

  東北大理:jst-erato

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著作論文

• 28aTX-7 ダブルゲートSi MOSFET中の電子・正孔移動度とSi/SiO_2界面状態(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYK-8 SiO_2/(100)Si/SiO_2量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pRC-3 SiO_2/Si/SiO_2量子井戸に閉じ込められた二次元電子系における電気抵抗の温度依存性(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25aWR-12 シリコン二次元電子系における谷偏極状態での金属絶縁体相転移(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))

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