高橋 庸夫 | 北海道大学 大学院情報科学研究科

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概要

• 同名の論文著者
• 北海道大学 大学院情報科学研究科の論文著者

関連著者

• 高橋 庸夫

  北大

• 藤原 聡

  Ntt物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 有田 正志

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 小野 行徳

  NTT物性科学基礎研究所

• 猪川 洋

  静岡大学電子工学研究所

• 開澤 拓弥

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 西口 克彦

  NTT物性科学基礎研究所

• 藤原 聡

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 西口 克彦

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 猪川 洋

  Ntt物性研

• 平山 祥郎

  東北大理:erato-jst

• 高橋 庸夫

  NTT物性基礎研

• 曹 民圭

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 山崎 謙治

  NTT物性科学基礎研究所

• 平山 祥郎

  NTT物性基礎研

• 高品 圭

  NTT物性科学基礎研究所

• 小野 行徳

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 猪川 洋

  日本電信電話(株)lsi研究所

• 雨宮 好仁

  北海道大学 大学院 情報科学研究科

• 影島 博之

  NTT物性基礎研

• 鳥海 明

  東大

• 金田 千穂子

  富士通研

• 小田中 紳二

  阪大

• 雨宮 好仁

  北海道大学情報科学研究科

• 金田 千穂子

  富士通研究所

• 雨宮 好仁

  北海道大学 情報科学研究科

• 植松 真司

  NTT物性科学基礎研究所

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 鳥海 明

  東大・物工

• 鳥海 明

  東大院工

• 道田 典明

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 浜田 弘一

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 白石 賢二

  筑波大物理

• 阿山 みよし

  宇都宮大学大学院工学研究科

• 伊藤 公平

  慶応大理工

• 田中 秀和

  阪大産研

• 小野 崇人

  東北大学

• 足立 智

  北海道大学大学院工学研究科

• 大沢 通夫

  富士電機アドバンストテクノロジー(株)

• 小池 洋二

  東北大工

• 秋永 広幸

  産総研ナノ機能合成プロ

• 高村 禅

  北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科

• 新宮原 正三

  関西大学大学院工学研究科

• 小田 俊理

  東工大量子ナノエレ研セ

• 安藤 康夫

  東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 宮崎 照宣

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI)

• 吉田 隆

  名大工

• 斗内 政吉

  阪大超伝導フォトニクス

• 安藤 康夫

  東北大工

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 竹田 美和

  名大工

• 高村 禅

  北陸先端大院・マテリアルサイエンス

• 高村 禅

  北陸先端科学技術大学院大学

• 浦岡 行治

  奈良先端大

• 羽根 一博

  東北大学

• 向田 昌志

  山形大学工学部

• 一木 隆範

  東大院・工・バイオエンジニアリング

• 平本 俊郎

  東大

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 川瀬 晃道

  理化学研究所

• 川瀬 晃道

  理研

• 福井 孝志

  北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター

• 尾崎 雅則

  阪大院・工

• 尾崎 雅則

  阪大・工

• 小田 俊理

  東工大工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノ研:sorst-jst

• 小田 俊理

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• ODA Shunri

  Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 和田 隆博

  龍谷大理工

• 木村 英樹

  東海大学

• 松井 真二

  兵庫県立大高度研

• 山本 公

  アルバック・ファイ(株)

• 秋永 広幸

  産総研

• 財満 鎭明

  名古屋大学大学院工学研究科

• 森 伸也

  阪大院工

• 森 伸也

  阪大工

• 菅原 陽

  北海道小樽工業高等学校

• 植村 哲也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 菅原 広剛

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 松田 健一

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 佐藤 威友

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 毛塚 博史

  東京工科大

• 三木 一司

  物材機構

• 辰巳 哲也

  ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクターテクノロジー開発部門

• 辰巳 哲也

  技術研究組合 超先端電子技術開発機構 プラズマ技術研究室

• 菅原 広剛

  北海道大学

• 勝山 俊夫

  東大生研ナノエレ連携研

• 八井 浄

  長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター

• 進藤 春雄

  東海大

• 田村 收

  産総研

• 伊藤 雅英

  筑波大

• 馬場 俊彦

  横国大

• 藤田 安彦

  都立工業高専

• 小笠原 宗博

  東芝研開セ

• 筒井 哲夫

  九大院総理工

• 小川 真一

  松下電器半導体社

• 粟野 祐二

  富士通研

• 藤田 静雄

  京大国際融合創造セ

• 脇坂 健一郎

  三洋電機

• 佐藤 芳之

  NTT-AT

• 白井 肇

  埼玉大

• 林 康明

  京都工繊大工芸

• 岡本 隆之

  理研

• 梶川 浩太郎

  東工大

• 財満 鎭明

  名大

• 影島 愽之

  NTT物性科学基礎研究所

• 川田 善正

  静岡大

• 山本 哲也

  高知工大

• 酒井 朗

  名大院工

• 櫻庭 政夫

  東北大通研

• 中川 清和

  山梨大工

• 梶川 靖友

  島根大総理工

• 竹田 美和

  名大院工

• 田中 三郎

  豊橋技大

• 王 鎮

  情報通信研究機構

• 芝山 敦史

  ニコン

• 佐波 俊哉

  KEK

• 栖原 敏明

  阪大

• 宮崎 照宣

  東北大院工

• 安藤 康夫

  東北大院工

• 松本 仁

  防衛大材料

• 鵜殿 治彦

  茨城大工

• 末益 崇

  筑波大物理工

• 鈴木 恒則

  東海大理

• 喜岡 俊英

  東理大工

• 福井 孝志

  北大量集センタ

• 岡田 勝行

  物材機構

• 尾松 孝茂

  千葉大

• 栗村 直

  物材機構

• 松尾 二郎

  京大

• 藤原 巧

  長岡技科大

• 白谷 正治

  九大院システム情報

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 向田 昌志

  山形大

• 三木 一司

  電総研

• 酒井 朗

  大阪大学

• 太田 剛

  NTT物性基礎研

• 太田 剛

  SORST-JST

• 尾崎 雅則

  大阪大学

• 宮崎 照宣

  東北大工

• 林 康明

  京都工芸繊維大学大学院

• 松尾 二郎

  京都大学工学研究科附属量子理工学研究実験センター

• 鈴木 恒則

  東京工科大学

• 藤田 安彦

  東京都立産業技術高等専門学校

• 山本 哲也

  東京都立産業技術高等専門学校

• 栗村 直

  独立行政法人物質・材料研究機構光材料センター

• 窪田 悟

  成蹊大学 理工学部

• 永瀬 雅夫

  Ntt物性科学基礎研究所

• 阿山 みよし

  宇都宮大学・院・工

• 石田 誠

  豊橋技科大

• 井谷 俊郎

  Selete

• 上野 和良

  芝浦工大

• 坂本 邦博

  産総研

• 芝原 健太郎

  広大

• 須田 良幸

  農工大

• 久本 大

  日立

• 廣瀬 和之

  宇宙研

• 水野 文二

  UJTラボ

• 須田 良幸

  農工大・工

• 野本 弘平

  三菱電機株式会社デザイン研究所

• 一木 隆範

  東洋大学・工

• 新宮原 正三

  関西大

• 田中 三郎

  豊橋技術科学大学

• 松尾 二郎

  京大院工

• 井谷 俊郎

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 白井 肇

  埼玉大学大学院 理工学研究科 機能材料工学専攻

• 堀口 誠二

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 辰巳 哲也

  ソニー

• 川田 善正

  静岡大学 工学部

• 尾松 孝茂

  千葉大学大学院自然科学研究科

• 尾松 孝茂

  千葉大学

• 高村 禅

  北陸先端大

• 木村 英樹

  東海大学大学院総合理工学研究科

• ブルン マークオレル

  SORST-JST

• モード ダンカン

  LCMI-CNRS

• 森 伸也

  阪大

• 植村 哲也

  「応用物理」編集委員会

• 八井 浄

  長岡技術科学大学 極限エネルギー密度工学研究センター

• 栖原 敏明

  大阪大学大学院工学研究科

• 小野 崇人

  東北大学大学院工学研究科

• 林康 明

  京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科

• 野本 弘平

  三菱電機デザイン研究所

• 白谷 正治

  九大

• 小田 俊理

  東工大

• 野本 弘平

  山形大学

• 野本 弘平

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 羽原 亮

  成蹊大学

• 岡田 勝行

  千葉大工

• 鈴木 恒則

  東海大学理学部

• Tanaka S

  Superconducting Sensor Laboratory Itami Laboratory

• Yatsui K

  Technological Univ. Nagaoka Nagaoka Jpn

• Yatsui Kiyoshi

  Laboratory Of Beam Technology Department Of Electrical Engineering Nagaoka University Of Technology

• 植村 哲也

  Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部

• 永瀬 雅夫

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 林 康明

  京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科

• 伊藤 雅英

  筑波大物理工

• 田村 收

  産総研 計測標準研究部門

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著作論文

• 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-サイエンスオリエンテーリング2008 in 札幌- : 北海道支部・北海道大学会場
• 磁束と電荷を結ぶ新しい機能デバイスの開拓 : 電気回路のための第4の基本素子とは(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
• 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
• シリコン技術
• パーマロイ薄膜における磁化リップルと磁気抵抗効果(薄膜)
• MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• 20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
• 単電子の転送と検出デバイス
• 単電子トランジスタとMOSトランジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
• 単電子トランジスタとMOSトフンジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
• 平均画像レベル,観視者の年齢,照明環境を考慮した液晶ディスプレイの輝度制御に関する研究(ヒューマンインフォメーション,ITS画像処理,映像メディア,一般)
• Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
• Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 量子ドットアレイを用いた多機能デバイスの特性シミュレーション(多量量子ドットと機能性)
• 量子ドットアレイを用いた多機能デバイスの特性シミュレーション(多量量子ドットと機能性)
• シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
• シリコンナノ構造でのパターン依存酸化現象の観察
• パーマロイ薄膜の磁気抵抗効果と磁区のその場観察
• Feナノ微粒子系におけるコンダクタンス量子化のTEM内その場計測
• 27pXC-8 TEMを用いたナノ微粒子の伝導特性評価に関する研究(結晶成長・微粒子,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 磁束と電荷を結ぶ新しい機能デバイスの開拓 : 電気回路のための第4の基本素子とは(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 単電子デバイスを用いたSi集積回路
• 新原理デバイスの今後の展開 : Beyond CMOS の可能性
• 次世代LSIデバイス・プロセス技術の課題と展望 : 特集号によせて
• 工学部における2007年度FD
• SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
• 13pYB-6 シリコン二次元電子系のランダウ準位交差における抵抗スパイク(量子ホール効果, 領域 4)
• 28pYG-1 量子ホール領域におけるSIMOX MOSFETの温度と磁場依存性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 21pTL-6 SIMOX MOSFET 中量子井戸の二次元電子系 : 谷分離と二層系
• Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Si細線における単一電荷の検出と操作
• Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
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• 単電子CCDで電子1個を操作--その意味と意義とは?
• MgF_2/Feナノドット/MgF_2薄膜における電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
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• パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
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• パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性
• MgF_2/Feナノドット/MgF_2薄膜における電気伝導特性
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• パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性
• 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
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