二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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二重量子ドット単電子トランジスタ(DQD SET)は量子情報処理デバイスへの応用が期待され、この応用上、量子ドット(QD)間の結合の制御が重要である。我々は、複数ゲートを持つSiのDQD SETを作製し、QD中の電子数の変化によって2つのQD間のカップリング容量を変えることができることを見出した。電子数変化によって実効的な量子ドットの大きさが変化し、QD間の結合が変化したものと考えられる。
- 2013-02-20
著者
-
藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
-
高橋 庸夫
東北大・工
-
高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
高橋 庸夫
日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
竹中 浩人
北海道大学大学院情報科学研究科
-
内田 貴史
北海道大学大学院情報科学研究科
-
有田 正志
北海道大学大学院 情報科学研究科
-
内田 貴史
北海道大学大学院 情報科学研究科
-
竹中 浩人
北海道大学大学院 情報科学研究科
-
吉岡 勇
北海道大学大学院情報科学研究科
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