20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2005-08-19
著者
-
平山 祥郎
NTT物性基礎研
-
藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
-
高品 圭
NTT物性科学基礎研究所
-
小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
-
猪川 洋
静岡大学電子工学研究所
-
平山 祥郎
東北大理:erato-jst
-
高橋 庸夫
NTT物性基礎研
-
太田 剛
NTT物性基礎研
-
太田 剛
SORST-JST
-
猪川 洋
Ntt物性研
-
ブルン マークオレル
SORST-JST
-
モード ダンカン
LCMI-CNRS
-
高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
高品 圭
バース大物理
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
猪川 洋
静岡大学 電子工学研究所
-
小野 行徳
Ntt
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