28aYA-2 半導体量子ドットを用いた量子ビット(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
カーボンナノチューブの基礎と応用
-
25pXL-14 GaAs/AlGaAs二次元電子系におけるピエゾ電圧効果(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
27aXB-1 量子ホール系における歪効果と電子系によるエネルギー散逸(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
InAs積層欠陥0次元構造の電子状態の低温STS評価
-
20aYK-8 SiO_2/(100)Si/SiO_2量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
19pRC-3 SiO_2/Si/SiO_2量子井戸に閉じ込められた二次元電子系における電気抵抗の温度依存性(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
20pYK-12 傾斜磁場を用いた二層V_T=1量子ホール状態における真性ギャップの測定(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
18pRC-3 2層系ν=2強磁性状態におけるスピンテクスチャ(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
27pXB-2 核スピンでみる半導体中二次元電子系 : 量子ホール系におけるスピン状態(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
28aXB-11 縦結合二重量子細線におけるクーロンドラッグの観測(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20aYC-11 核スピン緩和を用いた2層系ν=2 canted antiferromagnet状態におけるGoldstone modeの観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
19pYC-10 GaAsナノ構造における核スピンのデコヒーレンス機構(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
25pZC-6 量子ホール系における核スピン制御(領域4シンポジウム,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
13pYB-10 2 層系ν=2 量子ホール状態の整合非整合相転移(量子ホール効果, 領域 4)
-
13pYB-9 2 層系量子ホール状態における電流方向と面内磁場方向の違いによる縦抵抗の異方性(量子ホール効果, 領域 4)
-
13pYB-8 核スピン緩和速度によって測定された 2 層系ν=1 量子ホール状態における励起状態の電子密度差による変化(量子ホール効果, 領域 4)
-
13pYB-7 二重量子井戸におけるν=1/2 量子ホール状態の総電子密度・密度差依存性(量子ホール効果, 領域 4)
-
13aYB-12 分数量子ホールデバイスにおける電子-核スピンを用いたナノ領域での核スピンのコヒーレント制御(半導体スピン物性, 領域 4)
-
29pYG-13 2層量子ホール系における強相関-弱相関相転移による電子スピン-核スピン相互作用の変化(量子ホール効果)(領域4)
-
29pYG-10 非対称ポテンシャルによる核スピン緩和速度の増大(量子ホール効果)(領域4)
-
28pYG-5 2層系v=1状態の整合・非整合相転移と磁気抵抗の2つの極小(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
-
28pYG-4 2層系量子ホール状態における面内磁場方向に依存した縦抵抗の異方性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
-
22aTL-10 ナノ構造中の分数量子ホール電子による核スピンの制御
-
22aTL-9 非対称ポテンシャルによるν=2/3 核スピン偏極抑制効果の電流依存性
-
22aTL-8 ν=2/3 における単一ポテンシャル障壁によるヒステリシス
-
21pTL-5 トンネリングギャップの大きい 2 層系 v=1 量子ホール状態における励起エネルギー
-
31aZP-8 2 層系量子ホール状態における準位交差-反交差現象
-
31aZP-7 結合量子細線の磁場中電気伝導特性
-
29pXB-6 少数電子ダブルドットの交換結合のゲート電圧及び磁場依存性(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
19aWF-7 少数電子ダブルドットのトンネル及び交換結合(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20pYF-3 半導体量子ドットの近藤効果における電極のスピン蓄積効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20pYF-2 横結合2重量子ドットにおける近藤-ファノ効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
24aWH-9 量子ドットの近藤効果におけるスピン偏極電流注入効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
21pTA-5 電子フォーカシングにより電流注入された量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
30aYA-10 横型量子ドットにおけるスピン緩和のパルス測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
-
25pXL-3 v=2/3量子ホール状態におけるドメイン構造の面内磁場依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
27aXB-13 ν=2/3量子ホール状態におけるヒステリシスの異方性(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20aYC-7 2層ν=1量子ホール状態における縦抵抗の2つの極小と異方性(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
24aYT-8 2層系ν=2/3状態における異方的電気伝導(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
31aZP-10 高精度試料回転機構の開発と Skyrmion 励起の測定
-
20pYK-9 v=2/3分数量子ホール状態における核スピン偏極の光検出(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
23aQG-1 量子ホール状態を用いた局所的NMR(23aQG 磁気共鳴一般・実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
-
21pTH-5 電子スピンを介した高周波電場によるNMR(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
18pRC-2 抵抗検出NMRでみる核スピン間の双極子相互作用によるデコヒーレンス効果(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
29pYG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の量子ホール効果 : 2DEGのQHEとネットキャリアのQHEの交錯(量子ホール効果)(領域4)
-
29pYF-6 InAs/AlGaSbピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子効果(半導体スピン物性)(領域4)
-
25pXL-1 2層系υ=1/3量子ホール状態(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20aYC-10 2層系ν=2量子ホール状態における傾角反強磁性相(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
18pYH-1 v = 2/3量子ホール状態におけるヒステリシス現象
-
18aYH-9 2層系v=1量子ホール状態の電子密度差に対する励起状態の交差
-
27pTC-10 2層系ν=2/3量子ホール状態の電子密度差および総電子密度依存性
-
23pSA-8 2層系ν=2/3量子ホール状態の電子密度差依存性
-
27pTC-7 量子ホール遷移における磁気抵抗揺らぎ
-
24aD-8 分数エッジチャネルにおける非平衡分布の観測
-
29aYH-4 パターン形成表面ゲートにより制御された半導体量子ドット
-
20pYF-11 静電的ゆらぎによる二重量子ドット電荷量子ビットのデコヒーレンス(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20pYF-9 二重結合量子ドットを用いた高速キャパシタンス測定(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
24aWH-3 静電結合した二組の二重量子ドットにおけるコヒーレント振動特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
21aTA-3 ベクトル磁場印加による少数電子系の量子ドットの軌道とスピン分裂の測定(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
29pXB-8 電荷測定による二重量子ドットの計数統計(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
19pWF-6 二重量子ドット中のエネルギー緩和機構(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
28aYA-2 半導体量子ドットを用いた量子ビット(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
-
22pTH-8 結合量子ドット中の電荷ダイポール回転のディコヒーレンス
-
29aYH-5 結合量子ドットにおける電荷コヒーレント振動
-
27pTB-6 弱結合二重量子ドットにおける電流抑制機構
-
27aXB-11 バックゲート付き量子井戸における極低電子密度領域での電子有效質量(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
量子ドットの電気的パルス測定と単一電子ダイナミクス
-
19pYH-5 量子ドットの電荷状態とスピン状態
-
14aYB-11 バックゲート付き量子井戸における荷電励起子(量子ホール効果, 領域 4)
-
27pTC-9 二層量子ホール系における擬スピン強磁性と磁気異方性
-
23pSA-12 弱い二次元短周期ポテンシャルアレイ中の電子の輸送特性
-
18pYJ-1 縦型量子ドットの非弾性スピン緩和
-
27pTB-5 過渡電流スペクトルによる縦型量子ドットのスピン状態とエネルギー緩和
-
25pSA-2 量子ドットの長寿命励起準位の非平衡トンネル電流
-
半導体ナノ構造の量子輸送 - 最近の研究動向 -
-
27aTE-10 表面吸着In原子を用いたInAs結晶点欠陥形成位置の低温STS測定(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
27pVE-13 光照射下における二次元電子系の伝導及び発光特性の研究(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
MBE成長したInAs(111)A表面における電子蓄積層の形成機構
-
2重量子ドットの電子スピン制御 (2006年のニュース総まとめ 特集:物理科学,この1年) -- (物性物理)
-
半導体量子ドットからみた量子コンピューター (特集 材料開発からみた量子コンピューター)
-
半導体人工分子の電荷量子ビット (特集号)
-
量子メモリおよび量子演算素子の実現に向けて (特集 量子情報科学の新時代--量子へと向かう情報とは何か?)
-
半導体量子ドットによる量子情報デバイス (特集 量子コンピュータ)
-
21aTG-1 GaSb/InAs量子井戸における2次元正孔状態密度の低温STSイメージング(量子細線,量子井戸・超格子,輸送現象,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
18aTG-6 MBE成長したInAs(111)A表面におけるドナー型欠陥と二次元電子蓄積層(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
18pTA-12 低温STSによるInAs/GaSb二重量子井戸中の局所状態密度分布の観測(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
31a-ZB-4 二重量子ドットにおけるボゾン環境効果
-
31a-ZB-4 二重量子ドットにおけるボゾン環境効果
-
半導体人工分子 (「量子輸送現象における新展開」特集号) -- (5.量子ドット)
-
6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
-
6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
-
26pTD-10 InAs(111)A表面再構成境界における電子状態定在波の低温STM観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
応用物性
-
応用物性
-
7pSA-2 非対称障壁を持った横型半導体量子ドットのスピン状態(量子ドット,領域4)
-
24pXP-9 縦型量子ドソトの軌道角運動量緩和とスピン緩和(24pXP 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク