13aYB-12 分数量子ホールデバイスにおける電子-核スピンを用いたナノ領域での核スピンのコヒーレント制御(半導体スピン物性, 領域 4)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
平山 祥郎
NTT物性基礎研
-
村木 康二
NTT物性基礎研
-
遊佐 剛
東北大理
-
遊佐 剛
NTT物性基礎研
-
橋本 克之
SORST-JST
-
橋本 克之
ハンブルグ大:東北大理:jst-erato
-
遊佐 剛
東北大学理学研究科
-
橋本 克之
JST-ERATO:東北大院理
関連論文
- 25pXL-14 GaAs/AlGaAs二次元電子系におけるピエゾ電圧効果(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXB-1 量子ホール系における歪効果と電子系によるエネルギー散逸(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- InAs積層欠陥0次元構造の電子状態の低温STS評価
- 18pRC-3 2層系ν=2強磁性状態におけるスピンテクスチャ(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pXB-2 核スピンでみる半導体中二次元電子系 : 量子ホール系におけるスピン状態(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXB-11 縦結合二重量子細線におけるクーロンドラッグの観測(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYC-11 核スピン緩和を用いた2層系ν=2 canted antiferromagnet状態におけるGoldstone modeの観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pYC-10 GaAsナノ構造における核スピンのデコヒーレンス機構(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pZC-6 量子ホール系における核スピン制御(領域4シンポジウム,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 13pYB-10 2 層系ν=2 量子ホール状態の整合非整合相転移(量子ホール効果, 領域 4)
- 13pYB-9 2 層系量子ホール状態における電流方向と面内磁場方向の違いによる縦抵抗の異方性(量子ホール効果, 領域 4)
- 13pYB-8 核スピン緩和速度によって測定された 2 層系ν=1 量子ホール状態における励起状態の電子密度差による変化(量子ホール効果, 領域 4)
- 13pYB-7 二重量子井戸におけるν=1/2 量子ホール状態の総電子密度・密度差依存性(量子ホール効果, 領域 4)
- 13aYB-12 分数量子ホールデバイスにおける電子-核スピンを用いたナノ領域での核スピンのコヒーレント制御(半導体スピン物性, 領域 4)
- 29pYG-13 2層量子ホール系における強相関-弱相関相転移による電子スピン-核スピン相互作用の変化(量子ホール効果)(領域4)
- 29pYG-10 非対称ポテンシャルによる核スピン緩和速度の増大(量子ホール効果)(領域4)
- 28pYG-5 2層系v=1状態の整合・非整合相転移と磁気抵抗の2つの極小(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
- 28pYG-4 2層系量子ホール状態における面内磁場方向に依存した縦抵抗の異方性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
- 22aTL-10 ナノ構造中の分数量子ホール電子による核スピンの制御
- 22aTL-9 非対称ポテンシャルによるν=2/3 核スピン偏極抑制効果の電流依存性
- 22aTL-8 ν=2/3 における単一ポテンシャル障壁によるヒステリシス
- 21pTL-5 トンネリングギャップの大きい 2 層系 v=1 量子ホール状態における励起エネルギー
- 31aZP-8 2 層系量子ホール状態における準位交差-反交差現象
- 31aZP-7 結合量子細線の磁場中電気伝導特性
- 29pXB-6 少数電子ダブルドットの交換結合のゲート電圧及び磁場依存性(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aWF-7 少数電子ダブルドットのトンネル及び交換結合(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30aYA-10 横型量子ドットにおけるスピン緩和のパルス測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 25pXL-3 v=2/3量子ホール状態におけるドメイン構造の面内磁場依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXB-13 ν=2/3量子ホール状態におけるヒステリシスの異方性(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYC-7 2層ν=1量子ホール状態における縦抵抗の2つの極小と異方性(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aYT-8 2層系ν=2/3状態における異方的電気伝導(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 31aZP-10 高精度試料回転機構の開発と Skyrmion 励起の測定
- 18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pYG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の量子ホール効果 : 2DEGのQHEとネットキャリアのQHEの交錯(量子ホール効果)(領域4)
- 29pYF-6 InAs/AlGaSbピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子効果(半導体スピン物性)(領域4)
- 25pXL-1 2層系υ=1/3量子ホール状態(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYC-10 2層系ν=2量子ホール状態における傾角反強磁性相(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18pYH-1 v = 2/3量子ホール状態におけるヒステリシス現象
- 18aYH-9 2層系v=1量子ホール状態の電子密度差に対する励起状態の交差
- 27pTC-10 2層系ν=2/3量子ホール状態の電子密度差および総電子密度依存性
- 23pSA-8 2層系ν=2/3量子ホール状態の電子密度差依存性
- 27pTC-7 量子ホール遷移における磁気抵抗揺らぎ
- 24aD-8 分数エッジチャネルにおける非平衡分布の観測
- 29aYH-4 パターン形成表面ゲートにより制御された半導体量子ドット
- 29pXB-8 電荷測定による二重量子ドットの計数統計(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pWF-6 二重量子ドット中のエネルギー緩和機構(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aYA-2 半導体量子ドットを用いた量子ビット(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
- 22pTH-8 結合量子ドット中の電荷ダイポール回転のディコヒーレンス
- 29aYH-5 結合量子ドットにおける電荷コヒーレント振動
- 27aXB-11 バックゲート付き量子井戸における極低電子密度領域での電子有效質量(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 14aYB-11 バックゲート付き量子井戸における荷電励起子(量子ホール効果, 領域 4)
- 27pTC-9 二層量子ホール系における擬スピン強磁性と磁気異方性
- 23pSA-12 弱い二次元短周期ポテンシャルアレイ中の電子の輸送特性
- 23pSA-9 二層系量子ホール遷移におけるスピンと電荷分布の効果
- 23pL-5 ポイントコンタクトの0.7(2e^2/h)構造
- 31aZK-6 結合量子細線における細線間のトンネル電流
- 結合量子細線におけるクーロンドラッグ
- 結合量子細線におけるクーロンドラッグ
- 18pYJ-1 縦型量子ドットの非弾性スピン緩和
- 17aYG-9 結合量子細線における負のドラッグ抵抗
- 28aYS-8 結合量子細線におけるクーロンドラッグとフォノンドラッグ
- 27pTB-5 過渡電流スペクトルによる縦型量子ドットのスピン状態とエネルギー緩和
- 25pSA-2 量子ドットの長寿命励起準位の非平衡トンネル電流
- 24pSA-5 結合量子細線におけるクーロンドラッグの温度特性
- 27aXB-7 表面2次元電子系に対する磁場中STM/STS観測(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXB-12 2層系ν=2量子ホール状態の傾角反強磁性相における横磁場の効果(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aYT-9 2層系ν=1の面内磁場を加えたときの相図(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 20pTL-6 InAs/AlGaSb ピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子干渉効果
- 31aZP-6 InAs/GaSb ヘテロ構造の量子ホール効果 : 斜め磁場の効果
- 13pYB-6 シリコン二次元電子系のランダウ準位交差における抵抗スパイク(量子ホール効果, 領域 4)
- 28pYG-1 量子ホール領域におけるSIMOX MOSFETの温度と磁場依存性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
- 18aTG-6 MBE成長したInAs(111)A表面におけるドナー型欠陥と二次元電子蓄積層(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTA-12 低温STSによるInAs/GaSb二重量子井戸中の局所状態密度分布の観測(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aXL-4 低温STM/STSによる半導体ヘテロ界面における入射・反射電子波の干渉観察(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXC-10 低温STM/STSによるInAs/GaSb超格子中の局所状態密度分布の層厚依存性(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- InAs/GaSb系ヘテロ構造の電子-正孔相関
- InAs/GaSb系ヘテロ構造の電子-正孔相関
- (111)A面上のInAs/GaAsヘテロ構造と表面電子波のSTM観察
- (111)A面上のInAs/GaAsヘテロ構造と表面電子波のSTM観察
- 化合物半導体表面の量子現象
- 27pXC-9 InGaAs/GaAs(111)A表面量子井戸中の局所状態密度分布の低温STM観察(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pWF-2 半導体ナノ構造の電子状態の低温STM観測(領域4,領域5合同シンポジウム : 半導体物性研究におけるイメージング計測の現状,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30aYA-3 四面体InAsナノ構造における局所ポテンシャル分布の低温STM測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 23aL-10 二層系量子ホール効果におけるスカーミオン励起
- 24pD-5 高移動度試料における低ランダウ準位2層系量子ホール状態
- 23aL-9 二層量子ホール系におけるトンネリングとゼーマン効果の競合
- 24pD-4 二層量子ホール状態の電子配置と電子密度差に対する安定性
- 半導体量子構造における新しい物性
- 24pY-2 Si中のフッ素原子の安定サイトと荷電状態
- 7pSA-2 非対称障壁を持った横型半導体量子ドットのスピン状態(量子ドット,領域4)
- 8pSB-2 量子ホール効果とスピン(半導体量子構造のスピン状態と量子伝導,領域4,領域3,領域5合同シンポジウム,領域3)
- 8pSB-2 量子ホール効果とスピン(主題:半導体量子構造のスピン状態と量子伝導,合同シンポジウム,領域4,領域3,領域5,領域4)
- 8aSA-8 2層系における整数量子ホール効果と分数量子ホール効果の比較(分数量子ホール効果(理論,2層系),領域4)
- 24aWE-9 二次元電子系サイクロトロン共鳴の面内磁場効果(電子濃度依存性)(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 24pXP-9 縦型量子ドソトの軌道角運動量緩和とスピン緩和(24pXP 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 6aSA-8 結合量子細線における負のドラッグ抵抗とその磁場依存性(アンダーソン局在・量子カオス・量子細線,領域4)
- 25pXP-4 量子化された伝導電子の局所状態密度の低温STM観察(25pXP領域,領域7合同シンポジウム 主題:極微細構造の電子輸送-メゾからナノへ-,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))