27aXB-11 バックゲート付き量子井戸における極低電子密度領域での電子有效質量(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 田村 浩之

  NTT物性基礎研

• 山口 真澄

  NTT物性基礎研

• 平山 祥郎

  NTT物性基礎研

• 赤崎 達志

  NTT物性基礎研

• 高柳 英明

  NTT物性基礎研

• 平山 祥郎

  Ntt物性基礎研:東北大理:sorst-jst

• 野村 晋太郎

  筑波大数理物質:ntt物性基礎研

• 高柳 英明

  東理大:物材機構:jst-crest

• 野村 晋太郎

  筑波大物質創成

• 宮越 賢治

  東京理科大

• 宮越 賢治

  東京理科大:crest-jst

関連論文

• 21pGV-3 トリオン-二次元電子ガスクロスオーバー領域の発光分光(21pGV 領域5,領域4,領域8合同シンポジウム:半導体のキャリアドーピングと光,領域5(光物性))
• 21pGV-3 トリオン-二次元電子ガスクロスオーバー領域の発光分光(21pGV 領域5,領域4,領域8合同シンポジウム:半導体のキャリアドーピングと光,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20aYF-5 結合3重量子ドットにおける2電子・3電子状熊の励起スペクトル(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHW-10 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHV-6 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-14 GaAs/AlGaAs二次元電子系におけるピエゾ電圧効果(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-1 量子ホール系における歪効果と電子系によるエネルギー散逸(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• InAs積層欠陥0次元構造の電子状態の低温STS評価
• 19aWB-8 核整列固体^3Heの超音波
• 27aTB-8 カゴメ型量子ドット列における磁場効果
• 26aXD-2 ν=1^-における円偏光発光スペクトル(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXD-1 格子型表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(2)(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25aXG-7 横結合二重量子ドットにおけるファノ-近藤効果(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aTK-8 高ランダウ準位におけるストライプ・バブル相のフォトルミネセンス(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pRC-3 2層系ν=2強磁性状態におけるスピンテクスチャ(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27pXB-2 核スピンでみる半導体中二次元電子系 : 量子ホール系におけるスピン状態(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aXB-11 縦結合二重量子細線におけるクーロンドラッグの観測(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-11 核スピン緩和を用いた2層系ν=2 canted antiferromagnet状態におけるGoldstone modeの観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYC-10 GaAsナノ構造における核スピンのデコヒーレンス機構(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pZC-6 量子ホール系における核スピン制御(領域4シンポジウム,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 13pYB-10 2 層系ν=2 量子ホール状態の整合非整合相転移(量子ホール効果, 領域 4)
• 13pYB-9 2 層系量子ホール状態における電流方向と面内磁場方向の違いによる縦抵抗の異方性(量子ホール効果, 領域 4)
• 13pYB-8 核スピン緩和速度によって測定された 2 層系ν=1 量子ホール状態における励起状態の電子密度差による変化(量子ホール効果, 領域 4)
• 13pYB-7 二重量子井戸におけるν=1/2 量子ホール状態の総電子密度・密度差依存性(量子ホール効果, 領域 4)
• 13aYB-12 分数量子ホールデバイスにおける電子-核スピンを用いたナノ領域での核スピンのコヒーレント制御(半導体スピン物性, 領域 4)
• 29pYG-13 2層量子ホール系における強相関-弱相関相転移による電子スピン-核スピン相互作用の変化(量子ホール効果)(領域4)
• 29pYG-10 非対称ポテンシャルによる核スピン緩和速度の増大(量子ホール効果)(領域4)
• 28pYG-5 2層系v=1状態の整合・非整合相転移と磁気抵抗の2つの極小(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 28pYG-4 2層系量子ホール状態における面内磁場方向に依存した縦抵抗の異方性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 22aTL-10 ナノ構造中の分数量子ホール電子による核スピンの制御
• 22aTL-9 非対称ポテンシャルによるν=2/3 核スピン偏極抑制効果の電流依存性
• 22aTL-8 ν=2/3 における単一ポテンシャル障壁によるヒステリシス
• 21pTL-5 トンネリングギャップの大きい 2 層系 v=1 量子ホール状態における励起エネルギー
• 31aZP-8 2 層系量子ホール状態における準位交差-反交差現象
• 31aZP-7 結合量子細線の磁場中電気伝導特性
• 18aYJ-11 磁場中の球状量子ドットにおける新たな殻構造
• 27aTB-3 磁場中の三次元量子ドットにおける電子状態計算
• 29pXB-6 少数電子ダブルドットの交換結合のゲート電圧及び磁場依存性(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aWF-7 少数電子ダブルドットのトンネル及び交換結合(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aYF-4 並列量子ポイントコンタクトにおける量子干渉の有限バイアス効果(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-2 横結合2重量子ドットにおける近藤-ファノ効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWJ-3 並列量子ポイントコンタクトにおけるAharonov-Bohm振動(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTA-6 独立コンタクトを有する2重量子ドット-量子細線結合系の電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTA-5 電子フォーカシングにより電流注入された量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aYA-10 横型量子ドットにおけるスピン緩和のパルス測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 25pXL-3 v=2/3量子ホール状態におけるドメイン構造の面内磁場依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-13 ν=2/3量子ホール状態におけるヒステリシスの異方性(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pVE-12 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYK-5 二次元電子系発光ピーク分裂エネルギーの電子密度依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pTG-7 低電子密度領域二次元電子系発光による電子・正孔有効質量の増大の検出(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTG-8 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aWQ-8 ゲートつき非ドープGaAs量子井戸のスピン緩和測定(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aXA-2 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測 その2(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25aYM-9 核整列固体ヘリウム3における超音波測定III
• 25p-YA-7 核整列固体ヘリウム3における超音波測定II
• 19aRC-3 空間分解局所光励起下でのGaAs/AlGaAs単一ヘテロ構造の伝導測定(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aTA-10 InAlAs/InGaAsヘテロ構造における負の光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pPSA-8 n型量子井戸の空間分解光伝導測定(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aYH-4 パターン形成表面ゲートにより制御された半導体量子ドット
• 27aXB-11 バックゲート付き量子井戸における極低電子密度領域での電子有效質量(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pYJ-13 量子ドット超格子における平坦バンド強磁性
• 18pYJ-12 プラケット型量子ドット超格子における超伝導の可能性
• 25aWQ-9 ゲート付GaAs-AlGaAs非対称二重量子井戸の蛍光寿命のゲート電圧依存性(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25aWQ-7 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性II(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 27pVE-9 格子状表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 低密度二次元系のキャリア相関の発光測定
• 14aYB-11 バックゲート付き量子井戸における荷電励起子(量子ホール効果, 領域 4)
• 31p-T-2 単結晶Sc金属のNMR測定
• 6a-L-9 Sc金属のスピン-格子緩和時間II
• 25pWJ-4 Variation of charged and neutral exciton-photoluminescence intensities with time in GaAs quantum well
• 27aZC-8 励起子の量子シーソー効果 : 発光測定(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 25aYT-5 分数量子ホール領域におけるバックゲート付き量子井戸中荷電励起子(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14pYC-9 ゲート付き Be-δドープ GaAs 量子井戸発光の電子密度依存性 II(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
• 28pYF-9 ゲート付Be-δドープGaAs量子井戸発光の電子密度依存性(量子井戸・超格子)(領域4)
• 25pHD-8 分数量子ホール領域の発光の微細構造(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 13pYC-7 量子ドット列における調節可能な RKKY 交換相互作用(量子ドット : 理論, 領域 4)
• 25aYA-5 半導体ドット列を用いた物質設計
• 25aYA-5 半導体ドット列を用いた物質設計
• 25aK-7 半導体ドット列における強磁性
• 30aYA-4 量子ドットが結合した量子細線の電気伝導特性(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 22aTM-10 分数量子ホール領域の発光の微細構造(2)(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXC-7 半導体低次元キャリア間相互作用の光学検出(28pXC 領域4,領域5合同シンポジウム:光学測定による半導体中のキャリア間相互作用研究の新展開,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aYC-4 アクセプターをδドープした80nmのGaAs量子井戸におけるゲートによる電荷誘起と電場効果(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aZC-7 励起子の量子シーソー効果 : 理論(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 22aTH-9 量子ドットデバイスにおける調節可能な近藤遮蔽
• 24aBG-5 MnドープInAs pnダイオードにおけるスピン偏極電流(24aBG スピントロニクス(薄膜・ナノ粒子・スピン分極),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26pCJ-3 ゲートつきGaAs量子井戸の発光微細構造(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pSA-4 ゲート付GaAs-AlGaAs非対称二重量子井戸の磁場中発光寿命(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18aFB-3 発光線幅から見たトリオン-2次元電子正孔クロスオーバー(18aFB 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18aFB-4 低磁場低電子密度領域における電子占有数に依存したg-因子の増大(18aFB 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pCJ-4 分数量子ホール領域の発光微細構造の温度依存性(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXK-6 InAs(111)A表面In原子によるカゴメ格子状態密度の低温STM観測(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aXQ-3 ゲート付非対称二重量子井戸における井戸内および井戸間二次元電子系発光(26aXQ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pDD-7 歪ませて張り付けた単一InPナノワイヤの発光特性(量子井戸・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pDD-8 近接場光学顕微鏡を用いたスピン分裂量子ホール端状態の観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aXP-9 球状量子ドットにおけるフントの第二法則(24aXP 量子細線・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク