27pVE-9 格子状表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-03-03

著者

• 田村 浩之

  NTT物性基礎研

• 山口 真澄

  NTT物性基礎研

• 赤崎 達志

  NTT物性基礎研

• 野村 晋太郎

  筑波大院数物

• 野村 晋太郎

  筑波大数理物質:ntt物性基礎研

• 野村 晋太郎

  NTT物性基礎研

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