野村 晋太郎 | 筑波大数理物質:ntt物性基礎研

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概要

• 同名の論文著者
• 筑波大数理物質:ntt物性基礎研の論文著者

関連著者

• 野村 晋太郎

  筑波大数理物質:ntt物性基礎研

• 野村 晋太郎

  筑波大院数物

• 赤崎 達志

  NTT物性基礎研

• 山口 真澄

  NTT物性基礎研

• 田村 浩之

  NTT物性基礎研

• 高柳 英明

  東理大:物材機構:jst-crest

• 平山 祥郎

  Ntt物性基礎研:東北大理:sorst-jst

• 野村 晋太郎

  筑波大物質創成

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 櫻井 蓉子

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 平山 祥郎

  東北大理

• 高柳 英明

  NTT物性基礎研

• 櫻井 蓉子

  筑波大院数物

• 白石 賢二

  筑波大学

• 津村 公平

  筑波大物質創成

• 村口 正和

  東北大学際センター

• 高田 幸宏

  筑波大院数物

• 村口 正和

  早大理工

• 野村 晋太郎

  NTT物性基礎研

• 宮越 賢治

  東京理科大:crest-jst

• 白石 賢二

  Crest:筑波大数理物質

• 村口 正和

  東北大学際セ:crest-jst

• 宮下 宣

  NTT-AT

• 牧原 克典

  広大院先端研

• 池田 弥央

  広大院先端研

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 丸山 達朗

  NTT-AT

• 宮崎 誠一

  広大院先端物質科学

• 宮下 宣

  NTTアドバンステクノロジ

• 平山 祥郎

  東北大理:jst-erato

• 佐藤 大輔

  東大院理

• 遠藤 哲郎

  東北大学際センター

• 山本 貴一

  筑波大ナノ特プロ

• 平山 祥郎

  NTT物性基礎研

• 野村 晋太郎

  筑波大物理

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 野村 晋太郎

  筑波大ナノ特プロ

• 大塚 洋一

  筑波大数理物質

• 柏谷 聡

  産総研

• 大塚 洋一

  筑波大物理:学際物質センター

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 高柳 英明

  東理大理

• 伊藤 宙陛

  筑波大数理物質

• 柴田 祐輔

  筑波大数理物質

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• Ootuka Youiti

  Institute Of Physics Tsukuba University

• 佐藤 大輔

  筑波大物質創製

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所

• 大塚 洋一

  筑波大数理

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST

• 飯高 敏晃

  理化学研究所

• 飯高 敏晃

  理研基幹研

• 飯高 敏晃

  理研

• 渡辺 英一郎

  物材機構

• 角嶋 邦之

  東工大総理工

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 津谷 大樹

  物材機構

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 津谷 大樹

  理研:東工大総理工

• 斉藤 慎一

  日立中研

• 柏谷 聡

  電総研

• 村口 正和

  筑波大院数物

• 津谷 大樹

  (独)物質・材料研究機構

• 白石 賢二

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 林 伸明

  筑波大院物質創成

• 宮越 賢治

  CREST-JST

• 野村 晋太郎

  筑波大院物質創成

• 津村 公平

  筑波大院物質創成

• Ootuka Youiti

  Department Of Physics Faculty Of Science University Of Tokyo

• Ootuka Youiti

  Tsukuba Research Center For Interdisciplinary Materials Science And Institute Of Physics University

• 宮越 賢治

  東京理科大

• 古谷 景佑

  筑波大数理物質

• 岩井 洋

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 角嶋 邦之

  東京工業大学

• 岩井 洋

  東京工業大学

• 渡辺 英一郎

  筑波大院数理

• 大毛利 健治

  筑波大院数物

• 山田 啓作

  筑波大院数物

• 大毛利 健治

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 野村 晋太郎

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 福井 孝志

  北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター

• 石黒 亮輔

  東理大理

• 重田 育照

  兵庫県立大院生命

• 石黒 亮輔

  東理大

• 今井 剛

  筑波大物理・ナノサイエンス特別プロジェクト

• 佐久 規

  NTT-AT

• 平山 祥朗

  NTT物性基礎研

• 本久 順一

  北大量子集積セ

• 福井 孝志

  北大量子集積セ

• Fukui T

  Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University

• 丸山 達朗

  NTP-AT

• 宮下 宣

  NTP-AT

• 小野 絢哉

  CREST-JST

• 高柳 英明

  物材機構MANA

• 重田 育照

  兵庫県大院生命

• 宮崎 誠一

  広大

• 林 伸明

  筑波大物質創成

• 新田 淳作

  NTT物性科学基礎研

• 山本 貴一

  筑波大物理・ナノサイエンス特別プロジェクト

• 新田 淳作

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所:科学技術振興機構 Crest-jst

• 新田 淳作

  東北大

• 宮城 浩一

  筑波大数理物質

• 眞田 治樹

  NTT物性基礎研

• 寒川 哲臣

  NTT物性基礎研

• Delbecq M.

  NTT物性基礎研

• Delbecq M.

  Ntt物性基礎研:espci

• 宮越 賢治

  東理大物理

• 高柳 英明

  東理大物理

• 佐藤 大輔

  筑波大理

• 宮越 賢治

  東理大理

• 佐藤 大輔

  筑波大物理

• 重田 育照

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 重田 育照

  兵庫県立大学大学院生命理学研究科

• 本久 順一

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 小野 絢哉

  Crest-jst:筑波大物質創成

• Fukui T

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• 矢ヶ部 恵弥

  東理大理

• 佐久間 大輔

  東理大理

• 津村 公平

  NIMS MANA

• 津谷 大樹

  NIMSナノ融合センター

• 津村 公平

  物材機構MANA

• 大杉 正樹

  東理大理

• 林 朋美

  東理大理

• 渡辺 英一郎

  物材機構INST

• 津谷 大樹

  物材機構INST

• 本久 順一

  北大情エレ

• 寒川 哲臣

  Ntt物性基礎

• 野村 晋太郎

  CREST-JST

• 宮越 賢治

  NTT物性基礎研

• 眞田 治樹

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 重田 育照

  阪大基礎工

• 石黒 亮輔

  東京理科大応物:物材機構

• 今井 剛

  筑波大物理

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著作論文

• 21aHV-13 2次元電子ガス-量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHW-10 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHV-6 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXD-2 ν=1^-における円偏光発光スペクトル(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXD-1 格子型表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(2)(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXG-13 光励起下における電子ガス-量子ドット結合系のC-V特性とI-V特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30pTX-3 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクスII(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30pTX-2 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性およびI-V特性のSweep Rate依存性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30pTX-1 電子ガス-量子ドット結合系における電子構造II(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aYF-13 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aYF-12 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクス(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aYF-11 電子ガス・量子ドット結合系における電子状態(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pVE-8 極低温近接場光学顕微鏡を用いた2次元電子系境界の光応答マッピング(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pVE-12 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYK-5 二次元電子系発光ピーク分裂エネルギーの電子密度依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pTG-7 低電子密度領域二次元電子系発光による電子・正孔有効質量の増大の検出(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTG-8 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aWQ-8 ゲートつき非ドープGaAs量子井戸のスピン緩和測定(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aXA-2 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測 その2(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 19aRD-1 超伝導体・半導体接合の顕微光照射によるイメージング(超伝導(近接効果),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 18pTA-6 量子チューブにおける荷電励起子エネルギーのAB振動(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aRC-3 空間分解局所光励起下でのGaAs/AlGaAs単一ヘテロ構造の伝導測定(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aTA-10 InAlAs/InGaAsヘテロ構造における負の光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pPSA-8 n型量子井戸の空間分解光伝導測定(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aXL-3 量子チューブ中アハロノフ-ボーム効果の光学的検出(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYL-3 超伝導・半導体接合への光照射効果(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 27aZC-6 InAs挿入InGaAs/InAlAsヘテロ構造の磁場中赤外発光スペクトル(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-11 バックゲート付き量子井戸における極低電子密度領域での電子有效質量(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pTH-10 規則ポーラス構造を用いた量子ドットアレーの発光分光 II
• 25aWQ-9 ゲート付GaAs-AlGaAs非対称二重量子井戸の蛍光寿命のゲート電圧依存性(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25aWQ-7 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性II(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 27pVE-9 格子状表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 低密度二次元系のキャリア相関の発光測定
• 14aYB-11 バックゲート付き量子井戸における荷電励起子(量子ホール効果, 領域 4)
• 25pWJ-4 Variation of charged and neutral exciton-photoluminescence intensities with time in GaAs quantum well
• 19pPSB-3 負の屈折率を持つ物質を使用した光導波路中における"遅い光"へのエネルギー損失補償(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 24pWB-6 負の屈折率を持つ物質と誘電体との界面に存在する光モードの群速度解析(24pWB 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 24pWB-6 負の屈折率を持つ物質と誘電体との界面に存在する光モードの群速度解析(24pWB 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 28aPS-76 負の屈折率を持つ物質で結合した光導波路中のモード解析(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 27aZC-8 励起子の量子シーソー効果 : 発光測定(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 25aYT-5 分数量子ホール領域におけるバックゲート付き量子井戸中荷電励起子(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14pYC-9 ゲート付き Be-δドープ GaAs 量子井戸発光の電子密度依存性 II(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
• 28pYF-9 ゲート付Be-δドープGaAs量子井戸発光の電子密度依存性(量子井戸・超格子)(領域4)
• 20aPS-3 SiナノドットのオーダーN電子状態計算(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aXL-2 n型量子ドットのオーダーN電子状態計算(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHD-9 低温におけるSiナノワイヤーの発光特性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 領域4,5「光学測定による半導体中のキャリア間相互作用研究の新展開」(第61回年次大会シンポジウムの報告)
• 28pXC-1 シンポジウム企画の趣旨(28pXC 領域4,領域5合同シンポジウム:光学測定による半導体中のキャリア間相互作用研究の新展開,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aPS-69 トンネル型マイクロSQUID磁束計による光励起少数電子スピン観測システムの開発(25aPS-3 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25pHD-8 分数量子ホール領域の発光の微細構造(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTM-10 分数量子ホール領域の発光の微細構造(2)(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTM-8 シリコンナノレイヤー中電子正孔液滴発光の膜厚依存性(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pTE-1 グラフェンを用いた超伝導量子干渉計の作製と輸送測定(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 20pWF-4 格子型ゲートによる量子ドット列とその近接場光イメージング(領域4,領域5合同シンポジウム : 半導体物性研究におけるイメージング計測の現状,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aYC-4 アクセプターをδドープした80nmのGaAs量子井戸におけるゲートによる電荷誘起と電場効果(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aZC-7 励起子の量子シーソー効果 : 理論(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 29pYG-14 量子ドット端状態の電子スピン偏極度の光学検出(量子ホール効果)(領域4)
• Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面

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