25aPS-69 トンネル型マイクロSQUID磁束計による光励起少数電子スピン観測システムの開発(25aPS-3 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-03-03
著者
-
渡辺 英一郎
物材機構
-
石黒 亮輔
東理大理
-
津谷 大樹
物材機構
-
野村 晋太郎
筑波大院数物
-
石黒 亮輔
東理大
-
野村 晋太郎
筑波大数理物質:ntt物性基礎研
-
高柳 英明
東理大:物材機構:jst-crest
-
津谷 大樹
理研:東工大総理工
-
津谷 大樹
(独)物質・材料研究機構
-
高柳 英明
東理大理
-
津村 公平
筑波大物質創成
-
渡辺 英一郎
筑波大院数理
-
矢ヶ部 恵弥
東理大理
-
佐久間 大輔
東理大理
-
津村 公平
NIMS MANA
-
津谷 大樹
NIMSナノ融合センター
-
石黒 亮輔
東京理科大応物:物材機構
関連論文
- 21pHW-5 自己形成InAs量子ドットを接合に用いたSQUIDの研究(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-13 2次元電子ガス-量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pHL-12 非回折領域かつ垂直入射における光誘起起電力効果(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 21pHL-12 非回折領域かつ垂直入射における光誘起起電力効果(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21aHW-10 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pHV-6 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pZB-6 ナノギャップ電極上 C_ クラスター薄膜の伝導特性
- 14aYD-2 MWNT におけるキャリア注入による朝永・ラッティンジャー液体的振る舞いの消失(ナノチューブ伝導, 領域 7)
- 20aXF-13 多層カーボンナノチューブの層間電子輸送
- 22pYE-8 回転下における円筒容器内の超流動ヘリウム3(22pYE 固体^3He・液体^3He,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 26aWA-8 超流動ヘリウム3A相の一本の量子渦のダイナミクス(超流動^3He・低次元・量子渦,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 26aWA-9 円筒容器内の超流動ヘリウム3における織目構造の転移(超流動^3He・低次元・量子渦,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 23pWA-7 回転によって駆動されるヘリウム3A相の量子渦の運動(量子乱流・量子渦,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 23pWA-8 高速回転下における超流動ヘリウム3-A相(量子乱流・量子渦,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 26aXG-2 グラフェン結合量子ドットにおけるクーロンブロッケイド効果の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pYH-5 グラフェン量子ドットの単一電子輸送特性(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXD-2 ν=1^-における円偏光発光スペクトル(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aXD-1 格子型表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(2)(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pZK-6 回転下の^3He-A〜一本の量子渦のダイナミクス(量子流体力学の最前線,領域6,領域1,領域11合同シンポジウム,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 27pZK-6 回転下の^3He-A : 一本の量子渦のダイナミクス(領域6,領域1,領域11合同シンポジウム:量子流体力学の最前線,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 20aRD-7 狭い一本の円筒容器内の超流動ヘリウム3のNMRによる研究(超流動^3He・量子渦,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 20aRD-8 狭い一本の円筒容器内の超流動ヘリウム3の量子渦(超流動^3He・量子渦,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 22aTG-2 エアロジェル中の回転超流動ヘリウム 3II
- 29pYB-7 エアロジェル中の回転超流動ヘリウム 3
- 29pYB-4 円筒容器中の超流動ヘリウム 3 の texture
- 10mK以下の回転する稀釈冷凍機
- 22aSA-8 回転する超流動^3Heのテクスチャーと巨視的角運動量の検証
- 25aYM-6 回転する円筒容器内における超流動^3He-AのtextureとNMR : 実験を中心として
- 25aYM-5 回転する円筒容器内における超流動3He-^AのtextureとNMR : 理論を中心として
- 26aXG-13 光励起下における電子ガス-量子ドット結合系のC-V特性とI-V特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30pTX-3 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクスII(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-2 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性およびI-V特性のSweep Rate依存性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-1 電子ガス-量子ドット結合系における電子構造II(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYF-13 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYF-12 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクス(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- B-1-167 ナノホールアレイを用いた左手系光導波路(B-1.アンテナ・伝搬B(アンテナ一般),一般セッション)
- アルミニウム表面プラズモンカラーフィルタ
- 二段階プロセスで成膜したイットリア薄膜の結晶性とフッ素系ハロゲンプラズマ耐性
- 21aYF-11 電子ガス・量子ドット結合系における電子状態(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pVE-8 極低温近接場光学顕微鏡を用いた2次元電子系境界の光応答マッピング(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pVE-12 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYK-5 二次元電子系発光ピーク分裂エネルギーの電子密度依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pTG-7 低電子密度領域二次元電子系発光による電子・正孔有効質量の増大の検出(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-8 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- アルミニウム表面プラズモンカラーフィルタ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- アルミニウム表面プラズモンカラーフィルタ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- アルミニウム表面プラズモンカラーフィルタ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-3-69 ナノホールアレイを用いた負屈折平面プリズムのナノ加工(パッシブデバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 25aWQ-8 ゲートつき非ドープGaAs量子井戸のスピン緩和測定(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24aXA-2 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測 その2(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 3P-2081 マイクロ流路を利用した細胞のサイズ分離による細胞周期同調(8a 生体医用工学,人工臓器,一般演題,動物バイオテクノロジー,伝統の技と先端科学技術の融合)
- 19aRD-1 超伝導体・半導体接合の顕微光照射によるイメージング(超伝導(近接効果),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 18pTA-6 量子チューブにおける荷電励起子エネルギーのAB振動(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aRC-3 空間分解局所光励起下でのGaAs/AlGaAs単一ヘテロ構造の伝導測定(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aTA-10 InAlAs/InGaAsヘテロ構造における負の光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- B-1-159 ナノホールアレイを用いた負屈折平面プリズムの設計(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般セッション)
- カーボンナノチューブを用いた磁気接合素子における巨大磁気抵抗効果
- 単層カーボンナノチューブによる高スピン偏極電流の発現
- 13aWB-5 単層カーボンナノチューブへの高スピン偏極電流の注入(薄膜・人工格子磁性, 領域 3)
- 23aXF-4 単層・多層ナノチューブにおけるスピンコヒーレンス
- 異種基板上へのカーボンナノチューブ量子ドットの作製と評価
- 25aWQ-9 ゲート付GaAs-AlGaAs非対称二重量子井戸の蛍光寿命のゲート電圧依存性(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25aWQ-7 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性II(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 27pVE-9 格子状表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 低密度二次元系のキャリア相関の発光測定
- 25aRE-7 磁気共鳴による光誘起起電力効果(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 25aRE-7 磁気共鳴による光誘起起電力効果(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25pWJ-4 Variation of charged and neutral exciton-photoluminescence intensities with time in GaAs quantum well
- 19pPSB-3 負の屈折率を持つ物質を使用した光導波路中における"遅い光"へのエネルギー損失補償(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 20aPS-3 SiナノドットのオーダーN電子状態計算(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 高速回転する超低温冷凍機の建設と超流動3Heの量子流体力学の研究
- 25aHB-3 磁気共鳴による光誘起起電力効果II(25aHB 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25pHD-9 低温におけるSiナノワイヤーの発光特性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pPSA-19 V_2O_3ナノ粒子における金属絶縁体転移の消失(26pPSA 領域8ポスターセッション(低温2),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 領域4,5「光学測定による半導体中のキャリア間相互作用研究の新展開」(第61回年次大会シンポジウムの報告)
- 28pXC-1 シンポジウム企画の趣旨(28pXC 領域4,領域5合同シンポジウム:光学測定による半導体中のキャリア間相互作用研究の新展開,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aPS-69 トンネル型マイクロSQUID磁束計による光励起少数電子スピン観測システムの開発(25aPS-3 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aHB-3 磁気共鳴による光誘起起電力効果II(25aHB 領域5,領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 25pHD-8 分数量子ホール領域の発光の微細構造(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aGD-8 CrドープV_2O_3ナノ粒子の金属絶縁体転移(21aGD バナジウム酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22aTM-10 分数量子ホール領域の発光の微細構造(2)(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTM-8 シリコンナノレイヤー中電子正孔液滴発光の膜厚依存性(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTM-10 自己形成InAs量子リングにおける量子干渉(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aGE-4 Nb/Ru/Sr_2RuO_4超伝導接合を用いたマイクロSQUIDの温度特性(21aGE ルテニウム酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pTE-6 非一様歪みのあるグラフェンの形成と電気伝導測定(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTE-1 グラフェンを用いた超伝導量子干渉計の作製と輸送測定(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
- Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 26pCJ-6 Siナノレイヤーの発光寿命の膜厚依存性(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pYF-5 Nb/Ru/Sr_2RuO_4超伝導接合をもつSQUIDを用いたカイラル超伝導性の検証(27pYF Ru酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aSB-6 グラフェンナノ構造における磁場誘起量子閉じ込めと電子輸送特性(25aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18aGB-4 Nb/Ru/Sr_2 RuO_4マイクロ接合における超伝導臨界電流の変化(18aGB Ru酸化物・p波超伝導,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 18aGB-6 Nb/Ru/Sr_2RuO_4接合をもちいたSQUIDによるRu-Sr_2RuO_4共晶の超伝導相の同定(18aGB Ru酸化物・p波超伝導,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 18aAF-12 micro-SQUIDによるSr_2RuO_4微小片の磁化測定(18aAF 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 19aFH-4 イオン液体を用いたダイヤモンド表面伝導の電界制御(19aFH 電界効果・化学ドーピング,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aEC-3 CVDグラフェンにおける近藤効果の検証(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pXZE-11 イオン液体を用いたダイヤモンド表面伝導の電界制御II(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pXZE-11 イオン液体を用いたダイヤモンド表面伝導の電界制御II(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27pXH-4 Nb/Ru/Sr_2RuO_4ミクロンサイズのトポロジカル接合における臨界電流の変化(27pXH ルテニウム酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pDD-3 Siナノレイヤー中電子正孔凝縮状態の膜厚依存性(量子井戸・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))