25pDD-3 Siナノレイヤー中電子正孔凝縮状態の膜厚依存性(量子井戸・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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概要
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- 2013-08-26
著者
-
櫻井 蓉子
筑波大院数物
-
野村 晋太郎
筑波大院数物
-
大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
-
大毛利 健治
筑波大院数物
-
山田 啓作
筑波大院数物
-
櫻井 蓉子
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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