21aHW-10 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2010-03-01

著者

• 平山 祥郎

  東北大理

• 田村 浩之

  NTT物性基礎研

• 山口 真澄

  NTT物性基礎研

• 赤崎 達志

  NTT物性基礎研

• 平山 祥郎

  Ntt物性基礎研:東北大理:sorst-jst

• 野村 晋太郎

  筑波大院数物

• 野村 晋太郎

  筑波大数理物質:ntt物性基礎研

• 平山 祥郎

  東北大理:jst-erato

関連論文

• 20aHV-2 強局在領域における位相緩和長と抵抗の温度変化(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWH-11 不均一なゼーマン磁場中におけるスカーミオンによる核スピン緩和(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aYF-5 結合3重量子ドットにおける2電子・3電子状熊の励起スペクトル(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHW-10 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHV-6 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTH-4 奇数占有数量子ホール状態における電子スピンコヒーレンス増大の観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-1 光誘起Kerr効果で見る量子Hall領域での電子スピン共鳴と動的核スピン分極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pPSB-14 磁気光Kerr効果で見る量子ホール凝縮相のスピン分極(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• InAs積層欠陥0次元構造の電子状態の低温STS評価
• 28aTX-7 ダブルゲートSi MOSFET中の電子・正孔移動度とSi/SiO_2界面状態(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYK-8 SiO_2/(100)Si/SiO_2量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pRC-3 SiO_2/Si/SiO_2量子井戸に閉じ込められた二次元電子系における電気抵抗の温度依存性(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27aTB-8 カゴメ型量子ドット列における磁場効果
• 26aXD-2 ν=1^-における円偏光発光スペクトル(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXD-1 格子型表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(2)(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25aXG-7 横結合二重量子ドットにおけるファノ-近藤効果(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18aYJ-11 磁場中の球状量子ドットにおける新たな殻構造
• 27aTB-3 磁場中の三次元量子ドットにおける電子状態計算
• 24aWH-6 異なるg因子をもつ2重量子ドットにおけるスピン依存共鳴トンネル(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 29pXB-6 少数電子ダブルドットの交換結合のゲート電圧及び磁場依存性(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aWF-7 少数電子ダブルドットのトンネル及び交換結合(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-10 抵抗検出NMR法を用を用いたスカーミオンによる核スピン緩和異常の観察(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aYF-4 並列量子ポイントコンタクトにおける量子干渉の有限バイアス効果(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-2 横結合2重量子ドットにおける近藤-ファノ効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWJ-3 並列量子ポイントコンタクトにおけるAharonov-Bohm振動(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-9 ν=2/3分数量子Hall状態を用いた細線中での動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTA-6 独立コンタクトを有する2重量子ドット-量子細線結合系の電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTA-5 電子フォーカシングにより電流注入された量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pZC-12 量子ドットにおける核四重極相互作用とコヒーレント制御(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 27pVE-12 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pTX-4 RF電場により誘起された電子スピンドメイン振動による核スピン共鳴(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYK-5 二次元電子系発光ピーク分裂エネルギーの電子密度依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pTG-7 低電子密度領域二次元電子系発光による電子・正孔有効質量の増大の検出(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTG-8 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pYG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の量子ホール効果 : 2DEGのQHEとネットキャリアのQHEの交錯(量子ホール効果)(領域4)
• 20pYK-2 走査トンネルスペクトロスコピーによる二次元電子系の波数空間解析(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pWH-4 量子ホール転移の実空間観察(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25aWQ-8 ゲートつき非ドープGaAs量子井戸のスピン緩和測定(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aXA-2 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測 その2(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 19aWF-6 二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケードの電気的制御(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aWR-12 シリコン二次元電子系における谷偏極状態での金属絶縁体相転移(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 27aXD-4 量子細線の抵抗の温度依存性とdisorder依存性(量子細線・量子干渉・半導体物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27pTX-5 Al核スピンによるナノ構造の直接観察(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pTH-6 GaAs基板におけるNMRスペクトルの四重極分離(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aRC-3 空間分解局所光励起下でのGaAs/AlGaAs単一ヘテロ構造の伝導測定(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pPSA-8 n型量子井戸の空間分解光伝導測定(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aYH-4 パターン形成表面ゲートにより制御された半導体量子ドット
• 23aXA-5 半導体微細ロール構造の機械振動における曲率依存性(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-11 バックゲート付き量子井戸における極低電子密度領域での電子有效質量(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pYJ-13 量子ドット超格子における平坦バンド強磁性
• 18pYJ-12 プラケット型量子ドット超格子における超伝導の可能性
• 25aWQ-9 ゲート付GaAs-AlGaAs非対称二重量子井戸の蛍光寿命のゲート電圧依存性(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25aWQ-7 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性II(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 27pVE-9 格子状表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 低密度二次元系のキャリア相関の発光測定
• 14aYB-11 バックゲート付き量子井戸における荷電励起子(量子ホール効果, 領域 4)
• 31aZK-6 結合量子細線における細線間のトンネル電流
• 結合量子細線におけるクーロンドラッグ
• 結合量子細線におけるクーロンドラッグ
• 18pYJ-1 縦型量子ドットの非弾性スピン緩和
• 17aYG-9 結合量子細線における負のドラッグ抵抗
• 28aYS-8 結合量子細線におけるクーロンドラッグとフォノンドラッグ
• 27pTB-5 過渡電流スペクトルによる縦型量子ドットのスピン状態とエネルギー緩和
• 25aWD-7 InAs表面における二次元電子状態密度定在波の低温STM観察
• 25pSA-2 量子ドットの長寿命励起準位の非平衡トンネル電流
• 24pSA-5 結合量子細線におけるクーロンドラッグの温度特性
• 半導体ナノ構造の量子輸送 - 最近の研究動向 -
• 26p-ZJ-6 微小ダイオードにおける零次元準位共鳴トンネル効果と単電子トンネル
• 2006年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM 2006)報告
• 31aZP-6 InAs/GaSb ヘテロ構造の量子ホール効果 : 斜め磁場の効果
• 25pWJ-4 Variation of charged and neutral exciton-photoluminescence intensities with time in GaAs quantum well
• 24pK-12 結合量子細線におけるクーロンドラッグ
• InAs/GaSb系ヘテロ構造の電子-正孔相関
• (111)A面上のInAs/GaAsヘテロ構造と表面電子波のSTM観察
• (111)A面上のInAs/GaAsヘテロ構造と表面電子波のSTM観察
• 30aYA-3 四面体InAsナノ構造における局所ポテンシャル分布の低温STM測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 27aZC-8 励起子の量子シーソー効果 : 発光測定(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 25aYT-5 分数量子ホール領域におけるバックゲート付き量子井戸中荷電励起子(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14pYC-9 ゲート付き Be-δドープ GaAs 量子井戸発光の電子密度依存性 II(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
• 28pYF-9 ゲート付Be-δドープGaAs量子井戸発光の電子密度依存性(量子井戸・超格子)(領域4)
• 25pRB-8 多重パルス照射によるゆらぎスペクトルの決定法(25pRB 量子エレクトロニクス(固体量子情報処理),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25pRB-7 核スピン制御による固体中の低周波ゆらぎスペクトルの直接観察(25pRB 量子エレクトロニクス(固体量子情報処理),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25pHG-5 高次ランダウレベルの電子状態観察(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aHG-8 二層量子井戸構造における核スピン拡散(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHD-8 分数量子ホール領域の発光の微細構造(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 化合物半導体マイクロ・ナノメカニクス (特集 新材料とその新機能デバイスへの応用)
• 13pYC-7 量子ドット列における調節可能な RKKY 交換相互作用(量子ドット : 理論, 領域 4)
• 25aYA-5 半導体ドット列を用いた物質設計
• 22aTM-10 分数量子ホール領域の発光の微細構造(2)(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pEB-6 多重パルス列によるノイズスペクトルの測定(22pEB 量子エレクトロニクス(量子測定・量子エレクトロニクス・分光),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 21aED-4 多重パルス照射による固体中の核スピン・コヒーレンス増大と雑音スペクトル(21aED 量子エレクトロニクス(固体量子情報処理・量子計算・量子ビット),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 19aFB-3 走査ゲート顕微鏡による量子ホール効果ブレークダウンでの局所核スピン検出(19aFB 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18aFB-4 低磁場低電子密度領域における電子占有数に依存したg-因子の増大(18aFB 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pCJ-4 分数量子ホール領域の発光微細構造の温度依存性(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXQ-5 量子ホール系における核スピン偏極率の温度依存性(27pXQ 分数量子ホール効果・核スピン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-2 フーリエ変換走査トンネル分光によるランダウレベル波動関数の形状観察(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXQ-3 ゲート付非対称二重量子井戸における井戸内および井戸間二次元電子系発光(26aXQ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク